[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 202122906026.0
• 申請日: 2021-11-24
• 公開（公告）號: CN216435904U
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 童宇誠;張欽福
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 陳超德;吳昊

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底；

多個有源區，相互平行且相互分隔地定義在所述襯底內，各所述有源區包括有源鰭片以及設置于所述有源鰭片兩側的有源端部，所述有源鰭片以及所述有源端部分別包括不同的材質；以及

絕緣結構，設置在所述襯底內，環繞所述有源區。

2.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述有源鰭片以及所述有源端部分別包括不同的粗糙度。

3.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述有源端部包括一外延材質。

4.依據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述有源端部以及所述有源鰭片之間具有一高度落差。

5.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述絕緣結構包括第一絕緣層以及多個第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層系分別設置于相鄰的所述有源區之間并且被所述第一絕緣層環繞。

6.依據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：

多個第一導線，設置于所襯底內并與所述有源區交錯，所述第一導線同時穿過所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層。

7.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：

多個第二導線，設置于所襯底上并與所述有源區交錯，所述第二導線直接接觸所述有源鰭片；以及

多個插塞，設置于所襯底上并與所述第二導線交替設置，所述插塞同時接觸所述有源鰭片以及所述有源端部；以及

間隙壁，設置于所襯底上并位于所述第二導線以及所述插塞之間。

8.依據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述插塞設置于所述有源鰭片以及所述有源端部的底部，并具有高度落差。

9.依據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：

多個觸點，設置于所述第二導線下方，所述觸點位于相鄰的所述有源端部之間。