[實(shí)用新型]一種TFT基板制作用蝕刻槽結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202122248474.6 | 申請日: | 2021-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN215496649U | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫質(zhì)康;喬小平;蘇智昱 | 申請(專利權(quán))人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/77 |
| 代理公司: | 福州君誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 tft 制作 蝕刻 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種TFT基板制作用蝕刻槽結(jié)構(gòu),包括蝕刻槽(1),其特征在于:所述蝕刻槽(1)的頂端設(shè)置有蓋板(3),所述蓋板(3)的底端固定有霧液轉(zhuǎn)換板(8),且霧液轉(zhuǎn)換板(8)位于蓋板(3)底部呈直線陣列分布,所述霧液轉(zhuǎn)換板(8)的底端連接有導(dǎo)流管(7),所述蓋板(3)與蝕刻槽(1)的平行面之間夾角為30度-40度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFT基板制作用蝕刻槽結(jié)構(gòu),其特征在于:所述導(dǎo)流管(7)的縱截面為C字型結(jié)構(gòu),所述霧液轉(zhuǎn)換板(8)的縱截面為倒三角形結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFT基板制作用蝕刻槽結(jié)構(gòu),其特征在于:所述蝕刻槽(1)的表面開設(shè)有輸送孔(2),且輸送孔(2)的形狀為矩形狀結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種TFT基板制作用蝕刻槽結(jié)構(gòu),其特征在于:所述蝕刻槽(1)的內(nèi)壁兩側(cè)均固定有輸送管(4),且兩個(gè)輸送管(4)之間連接有噴淋管(5)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種TFT基板制作用蝕刻槽結(jié)構(gòu),其特征在于:所述噴淋管(5)的側(cè)壁開設(shè)有噴淋孔,所述噴淋孔上裝設(shè)有噴頭(6)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種TFT基板制作用蝕刻槽結(jié)構(gòu),其特征在于:所述蝕刻槽(1)的縱截面為直角梯形結(jié)構(gòu),所述蝕刻槽(1)的橫截面為矩形結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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