[實(shí)用新型]一種用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202122102247.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN215599041U | 公開(公告)日: | 2022-01-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 申雪珍;鄒宇;張平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司;北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/958 | 分類號(hào): | G01N21/958;G01N21/01 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱英靜 |
| 地址: | 221000 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 碳化硅 晶片 檢測(cè) 裝置 | ||
1.一種用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,包括:
支撐架;
設(shè)置于所述支撐架上的晶片支撐組件,所述晶片支撐組件包括托板和用于支撐所述托板的支撐臺(tái),所述托板上設(shè)有能夠使光源通過(guò)的第一透光孔、用于對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行支撐的晶片支撐臺(tái)階和能夠使真空吸筆通過(guò)的避讓槽,所述晶片支撐臺(tái)階沿所述第一透光孔的圓周開設(shè),并且所述晶片支撐臺(tái)階能夠與碳化硅晶片的外圓周相配合;以及
用于檢測(cè)所述碳化硅晶片的目鏡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述托板包括防靜電板和硬度加強(qiáng)板,所述硬度加強(qiáng)板與所述防靜電板粘合在一起,所述第一透光孔貫穿所述防靜電板和所述硬度加強(qiáng)板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述硬度加強(qiáng)板設(shè)有限位凸臺(tái)和限位凹槽中二者中的一個(gè),所述支撐臺(tái)上設(shè)有所述限位凸臺(tái)和所述限位凹槽中二者中的另一個(gè),并且所述限位凸臺(tái)與所述限位凹槽能夠互相配合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述限位凸臺(tái)和所述限位凹槽均為方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述防靜電板的材質(zhì)為改性合成樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述支撐臺(tái)設(shè)有能夠使光源通過(guò)的第二透光孔,所述第二透光孔的孔壁上涂抹有反光涂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述第二透光孔的孔壁為弧線形,并且所述弧線形的圓心位于所述支撐臺(tái)靠近所述托板的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,還包括轉(zhuǎn)動(dòng)連接于所述支撐架的物鏡轉(zhuǎn)盤和安裝于所述物鏡轉(zhuǎn)盤上的物鏡。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述晶片支撐組件還包括用于支撐所述支撐臺(tái)的載物臺(tái)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于碳化硅晶片的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述避讓槽為方形槽。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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