[實(shí)用新型]發(fā)光裝置及包括其的發(fā)光模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202121501076.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN214956934U | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜柏丞;賴仁雄;曾子倫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 億光電子工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋興;黃健 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 裝置 包括 模塊 | ||
本實(shí)用新型提供一種發(fā)光裝置及包括其的發(fā)光模塊。發(fā)光裝置包括載體、發(fā)光二極管芯片、封裝體及光型調(diào)整結(jié)構(gòu)。發(fā)光二極管芯片置于載體上表面,且發(fā)光二極管芯片具有與載體上表面平行的發(fā)光二極管芯片出光面。封裝體覆蓋該發(fā)光二極管芯片及部分的該載體上表面,而光型調(diào)整結(jié)構(gòu)設(shè)置于該封裝體上。光型調(diào)整結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于發(fā)光二極管芯片的光軸設(shè)置,用以允許該發(fā)光二極管芯片的光軸附近的光束部分穿透且部分反射。據(jù)此,包括多個(gè)發(fā)光裝置的發(fā)光模塊能具有更均一的出光效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光裝置及包括其的發(fā)光模塊,更具體而言,涉及一種包括光型調(diào)整結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置及包括其的發(fā)光模塊。
背景技術(shù)
在顯示裝置不斷朝向薄型化發(fā)展的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)中,應(yīng)用于這些顯示裝置的發(fā)光裝置亦有相應(yīng)的微型化需求。就現(xiàn)今而言,發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode,LED)芯片因?yàn)榫哂休^小的元件尺寸、高效率、高亮度、高可靠度及較短的反應(yīng)時(shí)間等特性,已被廣泛用于上述發(fā)光裝置中。
請(qǐng)參閱圖1A、圖1B及圖2。圖1A為現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光裝置的剖面示意圖;圖1B為現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光裝置的光型示意圖;而圖2為現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光模塊的剖面示意圖。如圖1A所示,一般而言,發(fā)光裝置L’包括載體1’、設(shè)置于載體1’上的發(fā)光二極管芯片2’、及覆蓋該發(fā)光二極管芯片的封裝體3’,而由發(fā)光二極管芯片2’發(fā)射的光束通過(guò)封裝體3’射出并具有光型R’。接著,如圖2所示,在發(fā)光模塊M’中,由各發(fā)光裝置L’發(fā)出的光型R’投射于擴(kuò)散板M4’上,進(jìn)而產(chǎn)生照明效果。
由圖1A可知,發(fā)光裝置L’的光型R’決定了發(fā)光裝置L’的發(fā)光角度的寬廣與否,而當(dāng)發(fā)光裝置L’具有較大的發(fā)光角度時(shí),可減少應(yīng)用于單一發(fā)光模塊M’中的發(fā)光裝置L’的數(shù)量,亦可降低在發(fā)光模塊中進(jìn)行混光所需的光學(xué)距離(Optical Distance,OD)。因此,在現(xiàn)有技術(shù)中,如何在減少發(fā)光裝置L’的數(shù)量下確保薄型化的發(fā)光模塊M’的發(fā)光功效,為本技術(shù)領(lǐng)域欲解決的問(wèn)題之一。
除此之外,對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光裝置L’而言,如圖1B所示,其光型R’在0度的出光角度下具有較大的出光強(qiáng)度,而在正負(fù)45度出光角度附近的光束的強(qiáng)度較弱。因此,此特性也將對(duì)發(fā)光模塊M’的出光均勻性產(chǎn)生不利的影響。換句話說(shuō),基于發(fā)光模塊L’的光型的強(qiáng)度分布,包括多個(gè)發(fā)光模塊L’的發(fā)光模塊M’的出光面會(huì)出現(xiàn)亮暗不均現(xiàn)象。舉例而言,發(fā)光模塊M’的出光面可能出現(xiàn)柵欄紋路或是網(wǎng)格紋路,使得照明效果不佳。如此一來(lái),發(fā)光模塊M’中的發(fā)光裝置L’的數(shù)量與排列方式需要進(jìn)一步進(jìn)行安排及設(shè)計(jì),以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
因此,有需要提供一種經(jīng)過(guò)改良的發(fā)光裝置及包括其的發(fā)光模塊,其能有效使得發(fā)光裝置所發(fā)出的光均勻化,以達(dá)到所欲的照明效果。
實(shí)用新型內(nèi)容
針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種發(fā)光裝置及包括其的發(fā)光模塊,發(fā)光裝置所包括的光型調(diào)整結(jié)構(gòu)允許該發(fā)光二極管芯片出光面射出的正向光束或發(fā)光二極管芯片的光軸附近的光束部分穿透且部分反射,藉此在符合制造成本及生產(chǎn)效率的情形下大幅改善薄型化發(fā)光模塊的出光效果。
本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供一種發(fā)光裝置,其包括一載體、一發(fā)光二極管芯片、一封裝體,以及一光型調(diào)整結(jié)構(gòu)。該載體具有一載體上表面,且該載體上表面包括至少一導(dǎo)電圖案。該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該載體上表面,并與該至少一導(dǎo)電圖案電性連接,其中,該發(fā)光二極管芯片具有與該載體上表面平行的一發(fā)光二極管芯片出光面。該封裝體覆蓋該發(fā)光二極管芯片及部分的該載體上表面。該光型調(diào)整結(jié)構(gòu)設(shè)置于該封裝體上,其中,該光型調(diào)整結(jié)構(gòu)于該載體上表面的投影區(qū)域與該發(fā)光二極管芯片于該載體上表面的投影區(qū)域至少部分重疊,且該光型調(diào)整結(jié)構(gòu)用以允許該發(fā)光二極管芯片出光面射出的正向光束部分穿透且部分反射。
在本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例中,該光型調(diào)整結(jié)構(gòu)是通過(guò)激光蝕刻而形成于該封裝體上的一消光層。
在本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例中,該消光層于該載體上表面的投影區(qū)域及該發(fā)光二極管芯片于該載體上表面的投影區(qū)域皆呈矩形,且該等矩形的各自的長(zhǎng)軸是彼此垂直,且該些矩形的各自中心點(diǎn)位置大致重疊。
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