[實用新型]發光裝置及包括其的發光模塊

有效

• 申請號: 202121501076.4
• 申請日: 2021-07-02
• 公開（公告）號: CN214956934U
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 姜柏丞;賴仁雄;曾子倫
• 申請（專利權）人: 億光電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/50
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 宋興;黃健

1.一種發光裝置，其特征在于，包括：

載體，其具有載體上表面，且所述載體上表面包括至少一導電圖案；

發光二極管芯片，其設置于所述載體上表面，并與所述至少一導電圖案電性連接，其中，所述發光二極管芯片具有與所述載體上表面平行的發光二極管芯片出光面；

封裝體，其覆蓋所述發光二極管芯片及部分的所述載體上表面；以及

光型調整結構，其設置于所述封裝體上，其中，所述光型調整結構于所述載體上表面的投影區域與所述發光二極管芯片于所述載體上表面的投影區域至少部分重疊，且所述光型調整結構用以允許所述發光二極管芯片出光面射出之正向光束部分穿透且部分反射。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述光型調整結構是通過激光蝕刻而形成于所述封裝體上的消光層。

3.根據權利要求2所述的發光裝置，其特征在于，所述消光層于所述載體上表面的投影區域及所述發光二極管芯片于所述載體上表面的投影區域皆呈矩形，且所述矩形的各自的長軸是彼此垂直，且所述多個矩形的各自中心點位置大致重疊。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述光型調整結構是通過點膠而形成于所述封裝體上的消光膠體。

5.根據權利要求4所述的發光裝置，其特征在于，所述消光膠體于所述載體上表面的投影區域大于或等于所述發光二極管芯片于所述載體上表面的投影區域。

6.根據權利要求5所述的發光裝置，其特征在于，還進一步包括凸膠層，其中，所述凸膠層覆蓋所述消光膠體及所述封裝體。

7.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，還進一步包括分散式布拉格反射層，其設置于所述發光二極管芯片上。

8.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，還進一步包括反射墻體，其設置于所述載體上表面且圍繞所述封裝體的側面。

9.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，還進一步包括透光墻體，其設置于所述載體上表面且圍繞所述封裝體的側面，其中，所述封裝體的折射率與所述透光墻體的折射率相異。

10.一種發光模塊，其特征在于，包括：

電路基板；

多如權利要求1所述的發光裝置，其設置于所述電路基板上并與所述電路基板電性連接；

透光保護層，其覆蓋所述多個發光裝置，其中，由所述發光裝置射出的光束通過所述透光保護層并由所述透光保護層的一上表面射出；以及

波長轉換層，其用以接收由所述透光保護層上表面射出的光束，并使所接收的光束的波長轉換為另一波長后，使所述光束由所述波長轉換層射出。

11.根據權利要求10所述的發光模塊，其特征在于，所述透光保護層的折射率與所述封裝體的折射率相異。

12.根據權利要求11所述的發光模塊，其特征在于，所述透光保護層的折射率小于所述封裝體的折射率。

13.根據權利要求10所述的發光模塊，其特征在于，還進一步包含擴散板，其設置于所述波長轉換層及所述透光保護層之間。

14.根據權利要求13所述的發光模塊，其特征在于，所述載體上表面至所述擴散板的距離H與所述多個發光裝置彼此間的最小間距P的一比值介于0.25至0.5之間。

15.根據權利要求10所述的發光模塊，其特征在于，所述電路基板具有一上表面及與所述上表面相對的一下表面，所述發光裝置是設置于所述電路基板的所述上表面，且所述電路基板下表面與所述透光保護層上表面之間的距離不大于0.35毫米。