[實用新型]一種FBAR濾波器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202121477979.3 | 申請日： | 2021-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN216146303U | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李麗;張仕強;李宏軍;王勝福;王磊;于江濤;張韶華;楊亮;李亮;梁東升;韓易;王茜龍;田思源 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H03H9/56 | 分類號： | H03H9/56;H03H9/58 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人： | 付曉娣 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 fbar 濾波器 | ||
1.一種FBAR濾波器，其特征在于，包括輸入端子、輸出端子、多個串聯(lián)的薄膜體聲波諧振器和多個并聯(lián)的薄膜體聲波諧振器；
所述多個串聯(lián)的薄膜體聲波諧振器包括第一薄膜體聲波諧振器、第二薄膜體聲波諧振器、第三薄膜體聲波諧振器、第四薄膜體聲波諧振器和第五薄膜體聲波諧振器，串聯(lián)連接在所述輸入端子和輸出端子之間；
所述多個并聯(lián)的薄膜體聲波諧振器包括第六薄膜體聲波諧振器、第七薄膜體聲波諧振器、第八薄膜體聲波諧振器和第九薄膜體聲波諧振器，所述第六薄膜體聲波諧振器、所述第七薄膜體聲波諧振器、所述第八薄膜體聲波諧振器和所述第九薄膜體聲波諧振器的一端分別連接在所述多個串聯(lián)的薄膜體聲波諧振器中相鄰的兩個薄膜體聲波諧振器之間的節(jié)點上；所述第六薄膜體聲波諧振器和所述第九薄膜體聲波諧振器的另一端分別連接接地端子，所述第七薄膜體聲波諧振器的另一端和所述第八薄膜體聲波諧振器另一端共同連接接地端子。
2.如權(quán)利要求1所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述多個串聯(lián)的薄膜體聲波諧振器的串聯(lián)諧振頻率和并聯(lián)諧振頻率相同；所述多個并聯(lián)的薄膜體聲波諧振器的串聯(lián)諧振頻率和并聯(lián)諧振頻率相同。
3.如權(quán)利要求1或2所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述多個串聯(lián)的薄膜體聲波諧振器的串聯(lián)諧振頻率和所述多個并聯(lián)的薄膜體聲波諧振器的并聯(lián)諧振頻率相同。
4.如權(quán)利要求1所述的FBAR濾波器，其特征在于，在所述FBAR濾波器的電路對稱時，所述第一薄膜體聲波諧振器和所述第五薄膜體聲波諧振器的面積相同，所述第二薄膜體聲波諧振器和所述第四薄膜體聲波諧振器的面積相同，所述第六薄膜體聲波諧振器和所述第九薄膜體聲波諧振器的面積相同，所述第七薄膜體聲波諧振器和所述第八薄膜體聲波諧振器的面積相同。
5.如權(quán)利要求1所述的FBAR濾波器，其特征在于，在所述FBAR濾波器的電路不對稱時，所述第一薄膜體聲波諧振器的面積為8400μm2-8600μm2，所述第二薄膜體聲波諧振器的面積為3900μm2-4100μm2，所述第三薄膜體聲波諧振器和所述第八薄膜體聲波諧振器的面積為7900μm2-8100μm2，所述第四薄膜體聲波諧振器的面積為4900μm2-5100μm2，所述第五薄膜體聲波諧振器的面積為17900μm2-18100μm2，所述第六薄膜體聲波諧振器和所述第七薄膜體聲波諧振器的面積為12400μm2-12600μm2，所述第九薄膜體聲波諧振器的面積為11900μm2-12100μm2。
6.如權(quán)利要求1所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述FBAR濾波器包括壓電層，所述FBAR濾波器的版圖主要包括犧牲層、下電極層、上電極層、差頻層和孔層，所述差頻層與所述多個并聯(lián)的薄膜體聲波諧振器對應(yīng)，所述多個串聯(lián)的薄膜體聲波諧振器不具有所述差頻層；所述孔層中開設(shè)有多個釋放孔，每個薄膜體聲波諧振器均設(shè)有多個釋放通道，每個所述釋放通道至少對應(yīng)一個釋放孔。
7.如權(quán)利要求6所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述上電極層的厚度為所述下電極層的厚度為壓電層的厚度為所述差頻層的厚度為所述釋放孔的直徑為15μm-25μm。
8.如權(quán)利要求7所述的FBAR濾波器，其特征在于，所述第六薄膜體聲波諧振器和所述第九薄膜體聲波諧振器位于所述輸入端子和所述輸出端子所在的直線的第一側(cè)，所述第七薄膜體聲波諧振器和第八薄膜體聲波諧振器位于所述直線的第二側(cè)；
所述第二薄膜體聲波諧振器、第三薄膜體聲波諧振器和第四薄膜體聲波諧振器的中心連線構(gòu)成第一V字型，所述第三薄膜體聲波諧振器、第四薄膜體聲波諧振器和第五薄膜體聲波諧振器的中心連線構(gòu)成第二V字型，第一V字型和第二V字型的角度均小于90°，第一V字型的開口方向朝向所述直線的第二側(cè)。
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