[實用新型]一種幀積分光電成像像元電路

有效

• 申請號: 202121332487.5
• 申請日: 2021-06-16
• 公開（公告）號: CN215647075U
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 李凱;李謀濤
• 申請（專利權）人: 武漢微智芯科技有限公司
• 主分類號: H04N5/369
• 分類號: H04N5/369
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 吳靜

本實用新型提供一種幀積分光電成像像元電路，包括參考元電阻ROB、用來接收各波段光輻射的有效元電阻RA、RA的偏置MOS管PMOS、ROB的偏置MOS管NMOS、時序控制開關電路、積分電容C，所述偏置MOS管PMOS的漏極和所述偏置MOS管NMOS的漏極相連，所述偏置MOS管PMOS的源極通過有效元電阻RA與偏置電壓VDETP相連，所述偏置MOS管PMOS的柵極與偏置電壓Vgsk相連，所述偏置MOS管NMOS的源極通過參考元電阻ROB與偏置電壓VDETN相連，所述偏置MOS管NMOS的柵極與偏置電壓Vgfid相連，所述偏置MOS管PMOS的漏極和所述偏置MOS管NMOS的漏極均通過時序控制開關電路與積分電容C相連。

技術領域

本實用新型涉及光電成像領域，尤其涉及一種幀積分光電成像像元電路。

背景技術

目前光電成像探測器按掃描方式可分行積分探測器和幀積分探測器兩大類。

目前國內外大多公司的光電成像探測器基本都采取行積分的方式，其優點是，結構易于實現，因為是行積分，只用一套列電路可以逐行分時完成面陣內傳感器的光電流采集、積分等任務。

行積分探測器缺點非常明顯，1)行積分探測在背景輻射快速變化的時候會有行掃描的拖影出現，會出現無法正常成像或成像模糊的情況。2)行積分由于單列共用一套電路，電路較復雜，占用面積大，無法直接放在單元像素面積內；3)由于有效元電阻值偏小，造成單列功耗偏大，行積分有效元電阻也不可用在單元像素積分結構。

因此有必要設計一種幀積分光電成像像元電路，以克服上述問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術之缺陷，提供了一種幀積分光電成像像元電路，至少解決了現有技術中的部分問題。

本實用新型是這樣實現的：

本實用新型提供一種幀積分光電成像像元電路，包括偏置電路、時序控制開關電路、積分電容C，所述偏置電路包括有效元偏置電路和參考元偏置電路，所述有效元偏置電路的偏置MOS管的漏極與所述參考元偏置電路的偏置MOS管的漏極均通過時序控制開關電路與積分電容C相連。

作為優選，所述有效元偏置電路包括用來接收各波段光輻射的有效元電阻RA、RA的偏置MOS管PMOS，所述偏置MOS管PMOS的源極通過有效元電阻RA與偏置電壓VDETP相連，所述偏置MOS管PMOS的柵極與偏置電壓Vgsk相連，所述偏置MOS管PMOS的漏極通過時序控制開關電路與積分電容C相連。

作為優選，所述參考元偏置電路包括參考元電阻ROB、ROB的偏置MOS管NMOS，所述偏置MOS管NMOS的源極通過參考元電阻ROB與偏置電壓VDETN相連，所述偏置MOS管NMOS的柵極與偏置電壓Vgfid相連，所述偏置MOS管NMOS的漏極通過時序控制開關電路與積分電容C相連。

作為優選，所述時序控制開關電路包括時序控制開關S1、時序控制開關S2，所述偏置MOS管PMOS的漏極和所述偏置MOS管NMOS的漏極依次串聯時序控制開關S1、時序控制開關S2后與緩沖器buffer相連，所述積分電容C與所述時序控制開關S2的輸入端相連。

作為優選，所述時序控制開關電路還包括時序控制開關S1B，所述時序控制開關S1B的一端與時序控制開關S1的輸入端相連，所述時序控制開關S1B的另一端與積分電容消隱期復位電壓VREF相連。

作為優選，所述時序控制開關電路還包括時序控制開關S3，所述時序控制開關S3的一端與時序控制開關S1的輸出端相連，所述時序控制開關S3的另一端與積分電容消隱期復位電壓VREF相連。

作為優選，參考元電阻ROB和有效元電阻RA結構相同，阻值大小一致。

作為優選，參考元電阻ROB位于有效元電阻RA物理結構的下方。

作為優選，所述偏置電壓VDETN接一個負電壓。