[實用新型]一種幀積分光電成像像元電路有效
| 申請號： | 202121332487.5 | 申請日： | 2021-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN215647075U | 公開（公告）日： | 2022-01-25 |
| 發明（設計）人： | 李凱;李謀濤 | 申請（專利權）人： | 武漢微智芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/369 | 分類號： | H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人： | 吳靜 |
| 地址： | 430073 湖北省武漢市東湖新技術開*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 積分 光電 成像 電路 | ||
1.一種幀積分光電成像像元電路，其特征在于：包括偏置電路、時序控制開關電路、積分電容C，所述偏置電路包括有效元偏置電路和參考元偏置電路，所述有效元偏置電路的偏置MOS管的漏極與所述參考元偏置電路的偏置MOS管的漏極均通過時序控制開關電路與積分電容C相連。
2.如權利要求1所述的幀積分光電成像像元電路，其特征在于：所述有效元偏置電路包括用來接收各波段光輻射的有效元電阻RA、RA的偏置MOS管PMOS，所述偏置MOS管PMOS的源極通過有效元電阻RA與偏置電壓VDETP相連，所述偏置MOS管PMOS的柵極與偏置電壓Vgsk相連，所述偏置MOS管PMOS的漏極通過時序控制開關電路與積分電容C相連。
3.如權利要求2所述的幀積分光電成像像元電路，其特征在于：所述參考元偏置電路包括參考元電阻ROB、ROB的偏置MOS管NMOS，所述偏置MOS管NMOS的源極通過參考元電阻ROB與偏置電壓VDETN相連，所述偏置MOS管NMOS的柵極與偏置電壓Vgfid相連，所述偏置MOS管NMOS的漏極通過時序控制開關電路與積分電容C相連。
4.如權利要求3所述的幀積分光電成像像元電路，其特征在于：所述時序控制開關電路包括時序控制開關S1、時序控制開關S2，所述偏置MOS管PMOS的漏極和所述偏置MOS管NMOS的漏極依次串聯時序控制開關S1、時序控制開關S2后與緩沖器buffer相連，所述積分電容C與所述時序控制開關S2的輸入端相連。
5.如權利要求4所述的幀積分光電成像像元電路，其特征在于：所述時序控制開關電路還包括時序控制開關S1B，所述時序控制開關S1B的一端與時序控制開關S1的輸入端相連，所述時序控制開關S1B的另一端與積分電容消隱期復位電壓VREF相連。
6.如權利要求5所述的幀積分光電成像像元電路，其特征在于：所述時序控制開關電路還包括時序控制開關S3，所述時序控制開關S3的一端與時序控制開關S1的輸出端相連，所述時序控制開關S3的另一端與積分電容消隱期復位電壓VREF相連。
7.如權利要求3所述的幀積分光電成像像元電路，其特征在于：參考元電阻ROB和有效元電阻RA結構相同，阻值大小一致。
8.如權利要求3所述的幀積分光電成像像元電路，其特征在于：參考元電阻ROB位于有效元電阻RA物理結構的下方。
9.如權利要求3所述的幀積分光電成像像元電路，其特征在于：所述偏置電壓VDETN接一個負電壓。
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