[實(shí)用新型]一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202121135657.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN214625088U | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅軼;張健;郭慶霞;易斌;何軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京創(chuàng)盈光電醫(yī)療科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/62 | 分類號(hào): | H01L33/62;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人: | 張嶺;趙保迪 |
| 地址: | 102600 北京市大興區(qū)北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 micro led 芯片 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu),包括電路基板(2),電路基板(2)上成對(duì)設(shè)置有PAD(3);其特征在于:PAD(3)上涂覆有錫膏層(4);兩個(gè)錫膏層(4)之間設(shè)置有用于將兩個(gè)錫膏層(4)相互隔開的阻隔部(5),錫膏層(4)表面與阻隔部(5)表面齊平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu),其特征在于:電路基板(2)上涂覆有絕緣反射層(6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu),其特征在于:絕緣反射層(6)避開Micro-LED芯片(1)設(shè)置;電路基板(2)上開設(shè)有供相應(yīng)的錫膏層(4)嵌入的容納槽(21),PAD(3)置于容納槽(21)的槽底;阻隔部(5)自然形成在兩個(gè)容納槽(21)之間,錫膏層(4)表面與電路基板(2)表面齊平。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu),其特征在于:絕緣反射層(6)涂敷在整個(gè)電路基板(2)上;電路基板(2)上開設(shè)有供PAD(3)嵌入的焊盤槽(22),絕緣反射層(6)上開設(shè)有供相應(yīng)的錫膏層(4)嵌入的容錫槽(61),容錫槽(61)與焊盤槽(22)相連通;阻隔部(5)自然形成在兩個(gè)容錫槽(61)之間以及兩個(gè)焊盤槽(22)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu),其特征在于:絕緣反射層(6)包括多個(gè)層疊分布的反射單元(62);每個(gè)反射單元(62)包括低折射率層(622)以及高折射率層(621),低折射率層(622)的折射率小于高折射率層(621)的折射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu),其特征在于:反射單元(62)設(shè)置有5-10個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu),其特征在于:低折射率層(622)的厚度為20nm,高折射率層(621)的厚度為20nm,絕緣反射層(6)的厚度為200-400nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的一種Micro-LED芯片的貼片結(jié)構(gòu),其特征在于:Micro-LED芯片(1)的表面涂覆有LED灌封膠層(7)。
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