[實用新型]一種改善塑封氣洞的半導體封裝結構

有效

• 申請號: 202120868573.1
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN215069938U
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 周剛;劉思勇;曹周
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

1.一種改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，包括：

引線框架(10)，其包括基島(11)以及管腳(12)；所述管腳(12)包括基部(123)，以及與所述基部(123)連接的焊接部(121)，所述焊接部(121)的頂面高于所述基部(123)的頂面；所述焊接部(121)遠離所述基部(123)的一端的部位為第一焊接段(1211)；

半導體元件(20)，其固定于所述基島(11)；所述半導體元件(20)背離所述基島(11)的一側設有正面電極(21)；

電連接件(30)，其一端與所述正面電極(21)連接，另一端與所述焊接部(121)的頂面連接；

封裝體(40)，其包覆所述引線框架(10)以及所述半導體元件(20)；所述第一焊接段(1211)的底面至所述封裝體(40)的底面的間距定義為a，所述封裝體(40)的厚度定義為b；a與b的比值大于等于0.25，或a與b的比值為0。

2.根據權利要求1所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，當a與b的比值大于等于0.25時，所述焊接部(121)的底面高于所述基部(123)的底面。

3.根據權利要求2所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，a與b的比值小于等于0.5。

4.根據權利要求2所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，所述焊接部(121)還包括第二焊接段(1212)，所述第一焊接段(1211)通過所述第二焊接段(1212)與所述基部(123)連接；

所述第一焊接段(1211)的底面高于所述第二焊接段(1212)的底面，以在所述焊接部(121)的底部形成凹槽(1213)；所述凹槽(1213)的槽底面為所述第一焊接段(1211)的底面。

5.根據權利要求4所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，所述凹槽(1213)通過化學腐蝕、精壓或激光雕刻的方式形成。

6.根據權利要求4所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，所述焊接部(121)還包括形成于所述第一焊接段(1211)底部邊緣的沖壓凸起(1214)。

7.根據權利要求2所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，所述焊接部(121)還包括第二焊接段(1212)，所述第一焊接段(1211)通過所述第二焊接段(1212)與所述基部(123)連接；所述第一焊接段(1211)的底面與所述第二焊接段(1212)的底面齊平。

8.根據權利要求1所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，當所述a與b的比值為0時，所述焊接部(121)的底面、所述基部(123)的底面以及所述封裝體(40)的底面齊平，所述焊接部(121)的底面以及所述基部(123)的底面由所述封裝體(40)露出。

9.根據權利要求1-7任一項所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，所述電連接件(30)為金屬導電片。

10.根據權利要求1-7任一項所述的改善塑封氣洞的半導體封裝結構，其特征在于，所述封裝體(40)為環氧樹脂封裝體(40)。