[實用新型]一種磁控濺射設備腔體密封裝置

有效

• 申請號: 202120805907.0
• 申請日: 2021-04-20
• 公開（公告）號: CN214782107U
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 楊武
• 申請（專利權）人: 楊武
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 無錫蘇元專利代理事務所(普通合伙) 32471
• 代理人: 張姝

本實用新型屬于磁控濺射設備技術領域，尤其為一種磁控濺射設備腔體密封裝置，包括第一密封框、第二密封框和腔體本體，第一密封框上端面的左右兩側均固定安裝有密封板，第一密封框上端面的前后兩端面均固定安裝有第一磁吸邊，第一密封框內部的底端面開設有“回”型的凹槽，凹槽的內部安裝有氣囊，從而通過密封橡膠墊，使密封板與密封卡槽之間形成密封，且通過第一磁吸邊和第二磁吸邊進行相互吸附進行配合，形成密封，從而使第一密封框和第二密封框的連接處形成第一道密封，通過通氣管向氣囊充氣，使得氣囊將凹槽的縫隙進行填充，促使凹槽和真空倉的連接處形成密封，從而形成第二道密封，達到二次密封的效果，有效的提高了密封性。

技術領域

本實用新型涉及磁控濺射設備技術領域，具體涉及一種磁控濺射設備腔體密封裝置。

背景技術

磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)的一種，一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，上世紀70年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷，因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率，磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

由于磁控濺射是在真空腔體進行，真空腔體通常磁控濺射設備上的蓋板和門在頻繁使用時，會使造成密封件與配合部件的表面間形成間隙，從而導致真空腔體密封性能降低，導致外界粉塵、氣體等進入真空腔體，影響真空鍍膜質量。

實用新型內容

為解決上述背景技術中提出的問題，本實用新型提供了一種磁控濺射設備腔體密封裝置，具有使第一密封框和第二密封框的連接處形成二次密封的效果，從而有效的提高了密封性的特點。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種磁控濺射設備腔體密封裝置，包括第一密封框、第二密封框和腔體本體，所述第一密封框上端面的左右兩側均固定安裝有密封板，所述第一密封框上端面的前后兩端面均固定安裝有第一磁吸邊，所述第一密封框內部的底端面開設有“回”型的凹槽，所述凹槽的內部安裝有氣囊，所述腔體本體位于第一密封框和第二密封框之間，所述第二密封框的底端面的左右兩端均開設有密封卡槽，所述第二密封框內部的左側壁貫穿且固定安裝有第一真空管，所述第二密封框內部的后端面固定安裝有真空倉，所述真空倉內部的左側壁貫穿且固定安裝有第二真空管，所述第二真空管遠離真空倉的一端貫穿第二密封框并延伸至第二密封框的外部。

為了能夠使密封板與密封卡槽之間形成密封，作為本實用新型一種磁控濺射設備腔體密封裝置優選的，兩個所述密封板分別與兩個密封卡槽的位置相對，兩個所述密封卡槽的內部均固定安裝有呈“U”型狀的密封橡膠墊。

為了使第一磁吸邊和第二磁吸邊進行相互吸附，進而形成密封，作為本實用新型一種磁控濺射設備腔體密封裝置優選的，所述第二密封框底端面的前后兩端均固定安裝有第二磁吸邊，兩個所述第一磁吸邊分別與兩個第二磁吸邊的位置相對。

為了便于通氣管向氣囊充氣，作為本實用新型一種磁控濺射設備腔體密封裝置優選的，所述氣囊外側壁的頂端連通有通氣管，所述通氣管的另一端貫穿第一密封框的后端面并延伸至第一密封框的后方，所述通氣管的外側壁安裝有氣閥，所述氣閥位于第一密封框的后方。

為了便于真空倉的底端面能夠移動至凹槽的內部，作為本實用新型一種磁控濺射設備腔體密封裝置優選的，所述真空倉的底端面與凹槽的位置均相對。

為了使得腔體本體能夠安裝在真空倉的內部，作為本實用新型一種磁控濺射設備腔體密封裝置優選的，所述真空倉的寬度和長度均大于腔體本體的寬度和長度。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：