[實用新型]一種磁控濺射設(shè)備腔體密封裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202120805907.0 | 申請日: | 2021-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN214782107U | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊武 | 申請(專利權(quán))人: | 楊武 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司: | 無錫蘇元專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32471 | 代理人: | 張姝 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市經(jīng)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁控濺射 設(shè)備 密封 裝置 | ||
1.一種磁控濺射設(shè)備腔體密封裝置,包括第一密封框(1)、第二密封框(4)和腔體本體(3),其特征在于:所述第一密封框(1)上端面的左右兩側(cè)均固定安裝有密封板(101),所述第一密封框(1)上端面的前后兩端面均固定安裝有第一磁吸邊(102),所述第一密封框(1)內(nèi)部的底端面開設(shè)有“回”型的凹槽(2),所述凹槽(2)的內(nèi)部安裝有氣囊(201),所述腔體本體(3)位于第一密封框(1)和第二密封框(4)之間,所述第二密封框(4)的底端面的左右兩端均開設(shè)有密封卡槽(401),所述第二密封框(4)內(nèi)部的左側(cè)壁貫穿且固定安裝有第一真空管(402),所述第二密封框(4)內(nèi)部的后端面固定安裝有真空倉(6),所述真空倉(6)內(nèi)部的左側(cè)壁貫穿且固定安裝有第二真空管(601),所述第二真空管(601)遠離真空倉(6)的一端貫穿第二密封框(4)并延伸至第二密封框(4)的外部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射設(shè)備腔體密封裝置,其特征在于:兩個所述密封板(101)分別與兩個密封卡槽(401)的位置相對,兩個所述密封卡槽(401)的內(nèi)部均固定安裝有呈“U”型狀的密封橡膠墊(4011)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射設(shè)備腔體密封裝置,其特征在于:所述第二密封框(4)底端面的前后兩端均固定安裝有第二磁吸邊(5),兩個所述第一磁吸邊(102)分別與兩個第二磁吸邊(5)的位置相對。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射設(shè)備腔體密封裝置,其特征在于:所述氣囊(201)外側(cè)壁的頂端連通有通氣管(202),所述通氣管(202)的另一端貫穿第一密封框(1)的后端面并延伸至第一密封框(1)的后方,所述通氣管(202)的外側(cè)壁安裝有氣閥(203),所述氣閥(203)位于第一密封框(1)的后方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射設(shè)備腔體密封裝置,其特征在于:所述真空倉(6)的底端面與凹槽(2)的位置均相對。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射設(shè)備腔體密封裝置,其特征在于:所述真空倉(6)的寬度和長度均大于腔體本體(3)的寬度和長度。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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