[實用新型]一種坩堝夾持裝置有效
| 申請號: | 202120780540.1 | 申請日: | 2021-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN214572358U | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 郭德華;蘇麗娜;劉圓圓;周敏;趙吉強 | 申請(專利權)人: | 上海天岳半導體材料有限公司 |
| 主分類號: | C30B23/00 | 分類號: | C30B23/00 |
| 代理公司: | 北京君慧知識產權代理事務所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 馮妙娜 |
| 地址: | 201306 上海市浦東新區中國(上海)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 坩堝 夾持 裝置 | ||
本申請公開了一種坩堝夾持裝置,屬于半導體技術領域。該坩堝夾持裝置包括:提升組件,所述提升組件包括升降臺和驅動機構,所述驅動機構通過連接軸與升降臺連接;夾持組件,所述夾持組件包括環形軸和若干個夾持臂,每個所述夾持臂的固定端均與所述升降臺轉動連接,每個所述夾持臂上設置有環形軸穿過的軸孔若干個所述夾持臂的自由端相互配合,用于夾持坩堝;所述升降臺運動帶動每個所述夾持臂的固定端與所述升降臺發生相對轉動,以帶動每個所述夾持臂的自由端靠近或遠離所述坩堝。該坩堝夾持裝置使操作者單手夾持不同尺寸的坩堝,實現對高溫坩堝的取放,此外,可避免人工直接接觸坩堝而對坩堝造成污染,大大提高了生產效率,節約了生產成本。
技術領域
本申請涉及一種坩堝夾持裝置,屬于半導體技術領域。
背景技術
隨著5G通訊、新能源汽車等產業的迅猛發展對功率電子器件的需求不斷增加,第三代半導體材料,因具有寬禁帶、高熱導率、高臨界擊穿場強及高飽和電子漂移速率等優異的物理性能而備受關注。目前,物理氣相沉積技術(PVT)是生長半導體晶體的常用方法,主要是將裝有原料的坩堝放置在長晶爐內進行長晶。
當長晶過程完成后,需要將坩堝從長晶爐內取出,后續在長晶爐內再放入另外裝有原料的坩堝放入用于晶體的生長。目前,主要依靠人工佩戴手套取放坩堝。然而,隨著坩堝尺寸的增大,單手難以完成坩堝的搬運工作;此外,當坩堝溫度較高時,人工難以完成坩堝的拿取工作;且手套的頻繁更換嚴重影響了生產效率,浪費了大量的人力物力。
實用新型內容
為了解決上述問題,本申請提出了一種坩堝夾持裝置,通過夾持組件夾持坩堝,避免了人工直接接觸坩堝而對坩堝造成污染,可實現對高溫坩堝的取放,大大提高了生產效率,節約了生產成本。
根據本申請的一個方面,提供了一種坩堝夾持裝置,其包括:
提升組件,所述提升組件包括升降臺和驅動機構,所述驅動機構通過連接軸與升降臺連接;
夾持組件,所述夾持組件包括環形軸和若干個夾持臂,每個所述夾持臂的固定端均與所述升降臺轉動連接,每個所述夾持臂上設置有環形軸穿過的軸孔若干個所述夾持臂的自由端相互配合,用于夾持坩堝;
所述升降臺運動帶動每個所述夾持臂的固定端與所述升降臺發生相對轉動,以帶動每個所述夾持臂的自由端靠近或遠離所述坩堝。
可選地,每個所述夾持臂均包括依次相連的第一連接段和第二連接段,所述第一連接段和第二連接段之間的角度為75°-105°;和/或
所述第一連接段和第二連接段通過連接環相連,所述連接環套設在所述環形軸上,并與所述環形軸轉動連接。
可選地,所述第一連接段的一端與所述升降臺轉動連接,另一端通過伸縮件與所述第二連接段相連。
可選地,所述夾持組件還包括若干個限位軸套,每個所述限位軸套分別設置在相鄰的所述夾持臂之間,并套設在所述環形軸上。
可選地,所述環形軸的外側連接有支撐桿,所述支撐桿遠離所述環形軸的一端連接有連接塊,所述連接塊上滑動連接有承托板,所述承托板用于承托所述坩堝的底部。
可選地,所述支撐桿包括第三連接段和第四連接段,所述第三連接段套設在所述第四連接段內部,并與所述第四連接段相互配合以調節所述支撐桿的長度。
可選地,所述連接軸為絲杠,所述升降臺的中心處開設有連接孔,所述連接孔設置有螺紋,所述絲杠與所述連接孔螺旋傳動配合。
可選地,每個所述夾持臂的自由端均連接有夾持板,所述夾持板與所述夾持臂轉動連接。
可選地,所述夾持板為與所述坩堝外壁適配的弧形結構;和/或
所述夾持板與所述坩堝接觸的一側設置有若干橫狀條紋。
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