[實用新型]一種防燒壞MOS管改良結構

有效

• 申請號: 202120667401.8
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN214411213U
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 歐荊明
• 申請（專利權）人: 東莞市中之電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/367;H01L23/48
• 代理公司: 東莞市永橋知識產權代理事務所(普通合伙) 44400
• 代理人: 姜華

本實用新型提供一種防燒壞MOS管改良結構，包括芯片、封裝外殼、柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳，所述封裝外殼的內腔并且位于所述芯片的上表面設置有降溫結構，所述降溫結構包括降溫板塊、降溫管體，所述降溫板塊與所述芯片的上表面連接，所述降溫管體的一端與所述降溫板塊的上表面連接，所述降溫管體的上端貫穿所述封裝外殼并且延伸出所述封裝外殼的上表面，所述降溫管體的內側壁周向陣列設置有若干降溫翅片，所述降溫板塊的面積大于所述芯片的面積。本實用新型的有益效果是：具有良好的散熱功能，并且柵極輸入端、漏極輸出端、電源輸出端均能調節伸出長度，提升適用度。

技術領域

本實用新型涉及MOS管技術領域，尤其涉及一種防燒壞MOS管改良結構。

背景技術

MOS管是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate柵極；S：source源極；D：drain漏極。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區?，F有技術中的MOS管，由于芯片是密封的，因此散熱性能差，容易因為散熱受阻而燒壞，鑒于這種情況，亟待改善。

實用新型內容

基于此，本實用新型的目的在于提供一種防燒壞MOS管改良結構，具有良好的散熱功能，并且柵極輸入端、漏極輸出端、電源輸出端均能調節伸出長度，提升適用度。

本實用新型提供一種防燒壞MOS管改良結構，包括芯片、封裝外殼、柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳，所述芯片設置在所述封裝外殼內，所述柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳的一側分別延伸進所述封裝外殼內與所述芯片連接，所述封裝外殼的內腔并且位于所述芯片的上表面設置有降溫結構，所述降溫結構包括降溫板塊、降溫管體，所述降溫板塊與所述芯片的上表面連接，所述降溫管體的一端與所述降溫板塊的上表面連接，所述降溫管體的上端貫穿所述封裝外殼并且延伸出所述封裝外殼的上表面，所述降溫管體的內側壁周向陣列設置有若干降溫翅片，所述降溫板塊的面積大于所述芯片的面積。

作為優選方案，所述封裝外殼的內腔與所述芯片對應的下方分別設置有與所述柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳對應的三條導電條形槽，所述芯片的柵極輸入區、漏極輸出區、電源輸出區分別通過引線與相應位置的導電條形槽連接，所述柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳的一端分別對應嵌合設置在所述導電條形槽內，所述柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳的另一端延伸出所述封裝外殼外。

作為優選方案，各所述導電條形槽頂部內壁延其長度方向線性陣列設置有若干絕緣彈性壓片，所述柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳位于所述封裝外殼內的一側均線性陣列設置有若干與所述絕緣彈性壓片配合的讓位槽，實際使用時，所述絕緣彈性壓片分別與所述柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳上的讓位槽過盈接觸從而將所述柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳壓緊在所述導電條形槽內；所述絕緣彈性壓片的自由端設置為半弧形。

作為優選方案，所述降溫板塊與所述芯片接觸的一表面延其寬度方向線性陣列設置有若干聚熱凹槽。

作為優選方案，所述柵極輸入引腳、漏極輸出引腳、電源輸出引腳位于所述封裝外殼外的一側并且靠近所述封裝外殼的位置均形成有限位凸粒。

本實用新型的有益效果為：

1、通過降溫板塊對芯片的熱量進行吸收，并且通過降溫管體配合散熱，大大提升芯片散熱的效果，提高了散熱的效率，從而避免芯片因為長期的熱量積聚而導致燒壞，提升產品的使用壽命；