[實用新型]一種防燒壞MOS管改良結構

有效

• 申請號: 202120667401.8
• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN214411213U
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 歐荊明
• 申請（專利權）人: 東莞市中之電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/367;H01L23/48
• 代理公司: 東莞市永橋知識產權代理事務所(普通合伙) 44400
• 代理人: 姜華

1.一種防燒壞MOS管改良結構，包括芯片(20)、封裝外殼(10)、柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)，所述芯片(20)設置在所述封裝外殼(10)內，所述柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)的一側分別延伸進所述封裝外殼(10)內與所述芯片(20)連接，其特征在于：所述封裝外殼(10)的內腔并且位于所述芯片(20)的上表面設置有降溫結構(11)，所述降溫結構(11)包括降溫板塊(18)、降溫管體(17)，所述降溫板塊(18)與所述芯片(20)的上表面連接，所述降溫管體(17)的一端與所述降溫板塊(18)的上表面連接，所述降溫管體(17)的上端貫穿所述封裝外殼(10)并且延伸出所述封裝外殼(10)的上表面，所述降溫管體(17)的內側壁周向陣列設置有若干降溫翅片(27)，所述降溫板塊(18)的面積大于所述芯片(20)的面積。

2.根據權利要求1所述的一種防燒壞MOS管改良結構，其特征在于：所述封裝外殼(10)的內腔與所述芯片(20)對應的下方分別設置有與所述柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)對應的三條導電條形槽(21)，所述芯片(20)的柵極輸入區(22)、漏極輸出區(24)、電源輸出區(23)分別通過引線與相應位置的導電條形槽(21)連接，所述柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)的一端分別對應嵌合設置在所述導電條形槽(21)內，所述柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)的另一端延伸出所述封裝外殼(10)外。

3.根據權利要求2所述的一種防燒壞MOS管改良結構，其特征在于：各所述導電條形槽(21)頂部內壁延其長度方向線性陣列設置有若干絕緣彈性壓片(26)，所述柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)位于所述封裝外殼(10)內的一側均線性陣列設置有若干與所述絕緣彈性壓片(26)配合的讓位槽(16)，實際使用時，所述絕緣彈性壓片(26)分別與所述柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)上的讓位槽(16)過盈接觸從而將所述柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)壓緊在所述導電條形槽(21)內；所述絕緣彈性壓片(26)的自由端設置為半弧形。

4.根據權利要求1所述的一種防燒壞MOS管改良結構，其特征在于：所述降溫板塊(18)與所述芯片(20)接觸的一表面延其寬度方向線性陣列設置有若干聚熱凹槽(19)。

5.根據權利要求2所述的一種防燒壞MOS管改良結構，其特征在于：所述柵極輸入引腳(14)、漏極輸出引腳(13)、電源輸出引腳(12)位于所述封裝外殼(10)外的一側并且靠近所述封裝外殼(10)的位置均形成有限位凸粒(15)。