[實用新型]一種P型IBC電池結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202120607226.3 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN218887198U | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 廖光明;王偉;吳仕梁;張鳳鳴 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237 | 代理人: | 徐曉鷺 |
| 地址: | 214028 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ibc 電池 結(jié)構(gòu) | ||
本實用新型公開一種P型IBC電池結(jié)構(gòu),電池結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的正面減反射和鈍化膜疊層、P型單晶硅基底、背面N型擴散層、背面減反射和鈍化膜疊層以及設(shè)置于背面減反射和鈍化膜疊層之上的正負(fù)金屬電極;所述P型單晶硅基底的背面設(shè)有拋光面,在所述拋光面為背面N型擴散層。本實用新型提出的P型IBC電池結(jié)構(gòu),與Topcon高效工藝疊加,效率較高;利用P型單晶硅襯底作為P區(qū),正背面均無需B摻雜,且無需掩膜和光刻,工藝步驟簡單,將傳統(tǒng)IBC電池復(fù)雜的工藝步驟降低到12步,生產(chǎn)成本降低非常明顯,有利于IBC電池的商業(yè)化推廣。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種P型IBC電池結(jié)構(gòu),屬于太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
隨著光伏行業(yè)的發(fā)展,降本提效的需求日益迫切,其中提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率是降本提效最主要的途徑之一。當(dāng)前的高效電池結(jié)構(gòu)主要包括Topcon、HIT以及IBC電池等,以上電池結(jié)構(gòu)均以N型晶硅為基底,其中IBC電池結(jié)構(gòu)與其它高效電池結(jié)構(gòu)具有很好的兼容性。
IBC電池由于具備以下優(yōu)點而逐漸受到青睞:(1)正面無遮光,短路電流Isc提升明顯;(2)正面無金屬接觸復(fù)合,有利于提升開路電壓Voc;(3)與其它高效工藝具有很好的兼容性;(4)組件可以實現(xiàn)二維封裝,降低片間距,有利于提升組件單位面積的發(fā)電功率,且外觀優(yōu)美;(5)可以實現(xiàn)薄片化,降低硅片成本。但是傳統(tǒng)的IBC電池具有20步以上的工藝步驟,工藝復(fù)雜,成本高昂,不利于商業(yè)化生產(chǎn)。
因此簡化IBC電池的工藝流程,降低商業(yè)化生產(chǎn)成本,對于本技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)人員來說具有非常重要的意義。
實用新型內(nèi)容
解決上述技術(shù)問題,本實用新型提出了一種P型IBC電池結(jié)構(gòu)以及工藝制備方法,將傳統(tǒng)IBC電池復(fù)雜的工藝步驟降低到12步,生產(chǎn)成本降低非常明顯,有利于IBC電池的商業(yè)化推廣。
本實用新型為一種P型IBC電池結(jié)構(gòu),包括依次設(shè)置的正面減反射和鈍化膜疊層、P型單晶硅基底、背面N型擴散層、背面減反射和鈍化膜疊層以及設(shè)置于背面減反射和鈍化膜疊層之上的正負(fù)金屬電極;
所述P型單晶硅基底的背面設(shè)有拋光面,在所述拋光面為背面N型擴散層。
進一步的,所述P型單晶硅基底包括正面和背面,所述正面構(gòu)造為金字塔絨面結(jié)構(gòu);所述背面構(gòu)造呈金字塔絨面和拋光面間隔排列。
進一步的,所述正面減反射和鈍化膜疊層為氧化鋁、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種的組合。
進一步的,所述背面N型擴散層包括氧化硅層以及摻雜P元素的多晶硅層,且疊層貼合設(shè)置于單晶硅基底背面拋光區(qū)域。
更進一步的,所述背面減反射和鈍化膜疊層為氧化鋁、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種的組合。
進一步的,所述背面金屬電極包括正電極Al柵線以及負(fù)電極Ag柵線,所述正電極Al柵線置于背面絨面區(qū)域,所述負(fù)電極Ag柵線置于背面拋光區(qū)域。
與傳統(tǒng)IBC電池相比,本實用新型提出的P型IBC電池結(jié)構(gòu),具備如下有益效果:
1、與Topcon高效工藝疊加,效率較高;
2、利用P型單晶硅襯底作為P區(qū),正背面均無需B摻雜,且無需掩膜和光刻,工藝步驟簡單;
3、P區(qū)正電極采用Al漿,Ag漿使用量降低50%,且采用P型單晶硅作為基底,明顯降低了生產(chǎn)成本。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型中的技術(shù)方案,下面將對本實用新型中所需要使用的附圖進行簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,可以根據(jù)這些附圖獲得其它附圖。
圖1:本實用新型提供的P型IBC電池結(jié)構(gòu)示意圖;
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