[實用新型]一種P型IBC電池結構有效
| 申請號: | 202120607226.3 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN218887198U | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 廖光明;王偉;吳仕梁;張鳳鳴 | 申請(專利權)人: | 江蘇日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 徐曉鷺 |
| 地址: | 214028 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ibc 電池 結構 | ||
1.一種P型IBC電池結構,其特征在于,包括依次設置的正面減反射和鈍化膜疊層、P型單晶硅基底、背面N型擴散層、背面減反射和鈍化膜疊層以及設置于背面減反射和鈍化膜疊層之上的正負金屬電極;
所述P型單晶硅基底的背面設有拋光面,在所述拋光面為背面N型擴散層。
2.根據權利要求1所述的一種P型IBC電池結構,其特征在于,所述P型單晶硅基底包括正面和背面,所述正面的構造為金字塔絨面結構;所述背面的構造呈金字塔絨面和拋光面間隔排列。
3.根據權利要求1所述的一種P型IBC電池結構,其特征在于,所述背面N型擴散層包括氧化硅層以及摻雜P元素的多晶硅層,且疊層貼合設置于單晶硅基底背面拋光區域。
4.根據權利要求1所述的一種P型IBC電池結構,其特征在于,所述背面金屬電極包括正電極Al柵線以及負電極Ag柵線,所述正電極Al柵線置于背面絨面區域,所述負電極Ag柵線置于背面拋光區域。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇日托光伏科技股份有限公司,未經江蘇日托光伏科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202120607226.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





