[實(shí)用新型]一種LED封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202120407979.X | 申請(qǐng)日: | 2021-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN214505536U | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉凱;韓婷婷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市瑞豐光電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 付麗平 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括焊接座、LED芯片和封裝膠體,以及透明材料層;
所述焊接座具有至少一個(gè)反射鏡面,所述反射鏡面具有設(shè)定的反射率;
所述透明材料層層疊設(shè)置于所述反射鏡面上,所述LED芯片置于所述透明材料層背離所述反射鏡面的一側(cè),所述封裝膠體包覆所述LED芯片的裸露出所述透明材料層的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述焊接座為鋁制件。
3.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述反射鏡面的反射率大于等于90%。
4.如權(quán)利要求3所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述反射鏡面的反射率大于95%。
5.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述焊接座上開設(shè)有設(shè)置槽,所述設(shè)置槽具有敞口,所述設(shè)置槽具有內(nèi)底面和連接于所述內(nèi)底面的內(nèi)側(cè)面,所述內(nèi)底面和所述內(nèi)側(cè)面均為所述反射鏡面;
所述透明材料層層疊設(shè)置于所述內(nèi)底面上,所述封裝膠體填充于所述設(shè)置槽內(nèi),且所述封裝膠體接觸于所述內(nèi)側(cè)面。
6.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述透明材料層包括由所述反射鏡面向所述LED芯片依次層疊的Al2O3鍍膜層、Ni鍍膜層、Ag鍍膜層、SiO2鍍膜層和TiO2鍍膜層。
7.如權(quán)利要求6所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述Al2O3鍍膜層、Ni鍍膜層、Ag鍍膜層、SiO2鍍膜層和TiO2鍍膜層的膜層厚度均小于100nm。
8.如權(quán)利要求6所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述透明材料層還包括層疊設(shè)置于所述Ag鍍膜層和所述Ni鍍膜層之間的第一連接層,以及層疊設(shè)置于所述SiO2鍍膜層和所述TiO2鍍膜層的第二連接層。
9.如權(quán)利要求8所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一連接層和所述第二連接層均為硅膠層。
10.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述LED封裝結(jié)構(gòu)還包括鍵合線,所述鍵合線的一端電性連接于所述LED芯片,所述鍵合線的另一端電性焊接于所述反射鏡面。
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