[實(shí)用新型]電注入花籃有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202120402726.3 | 申請日： | 2021-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN214203640U | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 袁華斌;王磊;朱露;孫鐵囤;張凱勝;楊宇城 | 申請（專利權(quán)）人： | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673;H01L21/265;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 張云 |
| 地址： | 213213 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 注入 花籃 | ||
1.一種電注入花籃，其特征在于：包括底座(1)和若干檔桿(2)，若干所述檔桿(2)設(shè)置在底座(1)上，若干所述檔桿(2)圍合呈用于限制硅片位移的限位區(qū)域，所述檔桿(2)靠近硅片的一側(cè)設(shè)置薄膜(3)，所述檔桿(2)和薄膜(3)之間具有空腔體(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電注入花籃，其特征在于：所述檔桿(2)上端靠近硅片的一側(cè)設(shè)置有斜面(5)，所述斜面(5)由檔桿(2)的一端向底座(1)方向?yàn)橹饾u向內(nèi)傾斜設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電注入花籃，其特征在于：所述底座(1)上開設(shè)有貫穿其上下表面的通孔(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電注入花籃，其特征在于：所述檔桿(2)靠近薄膜(3)的一側(cè)開設(shè)有凹槽，所述薄膜(3)覆蓋在凹槽上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電注入花籃，其特征在于：所述薄膜(3)的材質(zhì)聚酰亞胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電注入花籃，其特征在于：所述底座(1)的材質(zhì)為鐵合金。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
