[實用新型]一種存儲裝置及真空存儲裝置

有效

• 申請號: 202120349851.2
• 申請日: 2021-02-05
• 公開（公告）號: CN214313158U
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 郭德華;李斌;王路平;趙建國;國營
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;F26B3/30
• 代理公司: 北京君慧知識產權代理事務所(普通合伙) 11716
• 代理人: 馮妙娜

本申請公開了一種存儲裝置及真空存儲裝置，該存儲裝置包括：存儲本體，所述存儲本體包括基座和罩體，所述基座用于承載工作件，所述基座和所述罩體配合形成放置所述工作件的容納腔；升降組件，所述升降組件分別與所述罩體和所述基座連接，所述升降組件用于驅動所述罩體相對于所述基座升降以打開和關閉所述容納腔；和干燥組件，所述干燥組件包括用于加熱所述工作件的至少一個加熱件，所述加熱件設置在所述基座，所述基座頂面與所述加熱件對應的區域設置至少一個定位部以放置所述工作件。該存儲裝置將吸附在工作件孔隙中的水分徹底蒸發出來，使工作件在存儲過程中同時被干燥，保證后續晶體的生長質量。

技術領域

本申請涉及一種存儲裝置及真空存儲裝置，具體涉及一種石墨件存儲裝置，屬于存儲設備技術領域。

背景技術

半導體晶體被廣泛應用于集成電路、光電子器件、電力電子等領域，因此必須保證半導體晶體的純度。目前主流的半導體晶體生長技術是物理氣相輸運法，即在高溫下使半導體原料升華產生的氣相源輸運至籽晶處重新結晶而成。物理氣相輸運法制備半導體晶體的過程中需要大量石墨件，如石墨坩堝、石墨保溫桶等，因此石墨件的濕度對半導體晶體質量有著很大的影響。

目前，石墨件主要存放于儲物箱中或PE袋中，然而由于石墨件具有多孔結構，容易吸附空氣中的水分，且難以將孔隙中的水分徹底除去，因此現有的存儲方式無法降低石墨件的濕度，進而無法保證后續晶體的生長質量。

實用新型內容

為了解決上述問題，本申請提出了一種存儲裝置及真空存儲裝置，該存儲裝置將吸附在工作件孔隙中的水分徹底蒸發出來，使工作件在存儲過程中同時被干燥，保證后續半導體晶體的生長質量；同時，可以防止工作件發生移動而產生破損，延長工作件的使用壽命。

根據本申請的一個方面，提供了一種存儲裝置，其包括：

存儲本體，所述存儲本體包括基座和罩體，所述基座用于承載工作件，所述基座和所述罩體配合形成放置所述工作件的容納腔；

升降組件，所述升降組件分別與所述罩體和所述基座連接，所述升降組件用于驅動所述罩體相對于所述基座升降以打開和關閉所述容納腔；和

干燥組件，所述干燥組件包括用于加熱所述工作件的至少一個加熱件，所述加熱件設置在所述基座，所述基座頂面與所述加熱件對應的區域設置至少一個定位部以放置所述工作件。

可選地，所述工作件的至少一端開口，所述定位部包括至少一個定位槽，所述定位槽的形狀與所述工作件的開口匹配以將所述開口插入所述定位槽。

可選地，所述定位部包括多個同心定位槽，以放置不同尺寸的工作件。

可選地，所述工作件的至少一端為平面，所述定位部包括多個定位槽，所述工作件的平面放置在所述定位槽的槽壁頂面。

可選地，所述加熱件設置在所述基座的頂面的凹坑，所述加熱件形成所述定位部；或

所述基座的頂面形成所述定位部，所述加熱件安裝在所述基座下方并與所述定位部的形狀適配。

可選地，所述加熱件為螺旋紅外加熱管，所述螺旋紅外加熱管的每圈之間留有縫隙。

可選地，所述升降組件包括導軌和驅動機構，所述導軌的下端與所述基座下方的支撐腿連接；

所述升降組件包括導軌和驅動機構，所述導軌的下端與所述基座下方的支撐腿連接；

所述導軌包括第一導軌和第二導軌，所述第一導軌和所述第二導軌分別設置在所述基座的同一側，所述第一導軌和所述第二導軌分別與所述罩體轉動配合；

所述驅動機構設置在所述基座的下方，用于驅動所述第一導軌和所述第二導軌運動。

可選地，所述存儲本體還包括設置在所述基座上的支架，所述支架包括至少兩個從上至下依次設置的放置板。