[實用新型]一種電子束蒸發式芯片PAD薄膜層有效
| 申請號: | 202120341947.4 | 申請日: | 2021-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN214203610U | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 周建業 | 申請(專利權)人: | 深圳市同和光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/683 |
| 代理公司: | 深圳市匯信知識產權代理有限公司 44477 | 代理人: | 趙英杰 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電子束 蒸發 芯片 pad 薄膜 | ||
本實用新型公開了一種電子束蒸發式芯片PAD薄膜層,其技術方案是:包括管腳和薄膜,所述薄膜套設在管腳外側,所述管腳和薄膜之間設有高溫絕緣涂層,所述薄膜內部嵌設有安裝組件,本實用新型的有益效果是:通過將管腳放置在薄膜內側,接著沿著第一折痕將薄膜折疊,然后繞著管腳纏卷薄膜,薄膜將管腳上半部分包裹,直至膠水與薄膜外壁粘接,此時完成了薄膜的安裝,之后在將其拆卸時,只需要沿著第二折痕按壓軟模,矩形塑料帶的棱角將薄膜刺破,然后薄膜刺破部位向外翹起,使用者通過拉動薄膜刺破部位然后將薄膜與管腳脫離,裝卸方便,提高了薄膜的裝卸效率。
技術領域
本實用新型涉及PAD薄膜技術領域,具體涉及一種電子束蒸發式芯片PAD薄膜層。
背景技術
芯片,又稱微電路、微芯片、集成電路。是指內含集成電路的硅片,體積很小,常常是計算機或其他電子設備的一部分。從1930年代開始,元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的William Shockley認為是固態真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺,再到硅,原料在1940到1950年代被系統的研究。今天,盡管元素中期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如:發光二極管,激光,太陽能電池和最高速集成電路,單晶硅成為集成電路主流的基層。創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。最先進的集成電路是微處理器或多核處理器的核心(cores),可以控制電腦到手機到數字微波爐的一切。存儲器和ASIC是其他集成電路家族的例子,對于現代信息社會非常重要。雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高,但是當分散到通常以百萬計的產品上,每個IC的成本最小化。IC的性能很高,因為小尺寸帶來短路徑,使得低功率邏輯電路可以在快速開關速度應用。這些年來,IC持續向更小的外型尺寸發展,使得每個芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量,可以降低成本和增加功能-見摩爾定律,集成電路中的晶體管數量,每兩年增加一倍。總之,隨著外形尺寸縮小,幾乎所有的指標改善了-單位成本和開關功率消耗下降,速度提高。而其中的PAD可以解釋為管腳,其安裝在芯片內部。
現有技術存在以下不足:管腳在使用過程中,需要增設薄膜對管腳進行保護,由于薄膜厚度較小,且具有一定的柔軟性,而為了不傷及管腳,故在裝卸薄膜時需要輕手輕腳,嚴重降低了薄膜的裝卸效率。
因此,發明一種電子束蒸發式芯片PAD薄膜層很有必要。
實用新型內容
為此,本實用新型提供一種電子束蒸發式芯片PAD薄膜層,通過將管腳放置在薄膜內側,接著沿著第一折痕將薄膜折疊,然后繞著管腳纏卷薄膜,薄膜將管腳上半部分包裹,直至膠水與薄膜外壁粘接,此時完成了薄膜的安裝,之后在將其拆卸時,只需要沿著第二折痕按壓軟模,矩形塑料帶的棱角將薄膜刺破,然后薄膜刺破部位向外翹起,使用者通過拉動薄膜刺破部位然后將薄膜與管腳脫離,裝卸方便,提高了薄膜的裝卸效率,以解決管腳在使用過程中,需要增設薄膜對管腳進行保護,由于薄膜厚度較小,且具有一定的柔軟性,而為了不傷及管腳,故在裝卸薄膜時需要輕手輕腳,嚴重降低了薄膜的裝卸效率的問題。
為了實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種電子束蒸發式芯片PAD薄膜層,包括管腳和薄膜,所述薄膜套設在管腳外側,所述管腳和薄膜之間設有高溫絕緣涂層,所述薄膜內部嵌設有安裝組件。
優選的,所述薄膜內側涂有膠水,所述膠水設在高溫絕緣涂層一側。
優選的,所述薄膜上設有第一折痕,所述第一折痕設在高溫絕緣涂層和膠水頂部。
優選的,所述薄膜外側設有多個第二折痕,所述第二折痕關于管腳垂直中心線對稱。
優選的,所述薄膜的長度為管腳長度的二分之一。
優選的,所述安裝組件包括多個矩形塑料帶,多個所述矩形塑料帶均嵌設在薄膜內壁中。
優選的,所述安裝組件包括多個三角形塑料帶,多個所述三角形塑料帶均嵌設在薄膜內壁中。
本實用新型的有益效果是:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





