[實用新型]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 202120334679.3
• 申請日: 2021-02-05
• 公開（公告）號: CN214279953U
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 張振輝;陳奕武;倪勝錦;黃宏遠
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，其包括：

襯底；及

第一類型的第一裸片，其位于所述襯底上方，所述第一類型的第一裸片包括：

第一裸片區域；

第二裸片區域，其鄰近所述第一裸片區域；及

第一分割線溝槽，其位于所述第一裸片區域與所述第二裸片區域之間。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，進一步包括：

位于所述第一裸片區域中的多個第一焊盤；

位于所述第二裸片區域中的多個第二焊盤；

重新分布層，其連接所述多個第一焊盤中的每一者和所述多個第二焊盤中的每一者。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，進一步包括：

多個重新定位焊盤，其通過所述重新分布層電連接至所述多個第一焊盤或所述多個第二焊盤中的一者。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，進一步包括將所述多個重新定位焊盤中的一者電耦合至所述襯底的連接器。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，其中所述多個重新定位焊盤面對所述襯底，且所述連接器是連接至所述襯底的底部表面的結合線。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，其中所述多個重新定位焊盤面對所述襯底，且所述連接器是連接至所述襯底的頂部表面的焊料凸塊。

7.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，進一步包括堆疊于所述第一類型的第一裸片上方的所述第一類型的第二裸片，所述第一類型的第二裸片包括：

第一裸片區域；

第二裸片區域，其鄰近所述第一裸片區域；及

第一分割線溝槽，其位于所述第一裸片區域與所述第二裸片區域之間。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝結構，其特征在于，其中所述第一類型的第二裸片暴露所述第一類型的第一裸片的所述多個重新定位焊盤。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，進一步包括位于所述襯底和所述第一類型的第一裸片之間的第二類型的第一裸片，其中所述第二類型的第一裸片在所述第一分割線溝槽的投影下方。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二類型的第一裸片是控制器裸片，且所述第一類型的第一裸片是存儲器裸片。

11.根據權利要求9和10中的任一者所述的半導體封裝結構，其特征在于，進一步包括在所述襯底上方且電耦合到所述第二類型的第一裸片的第三類型的第一裸片。

12.根據權利要求1-10中的任一者所述的半導體封裝結構，其特征在于，其中所述第一類型的第一裸片進一步包括填充所述第一分割線溝槽的鈍化層。

13.根據權利要求1-10中的任一者所述的半導體封裝結構，其特征在于，其中所述第一類型的第一裸片進一步包括：

第三裸片區域，其鄰近所述第二裸片區域；及

第二分割線溝槽，其位于所述第二裸片區域與所述第三裸片區域之間。