[實用新型]一種工藝設備

有效

• 申請號: 202120253417.4
• 申請日: 2021-01-27
• 公開（公告）號: CN214099642U
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 宣城睿暉宣晟企業管理中心合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

本實用新型提供一種工藝設備，包括工藝腔體、冷卻單元、第一傳輸單元、傳送帶和第二傳輸單元。第一傳輸單元將具有較高溫度的晶圓從工藝腔體中傳輸至冷卻單元進行冷卻，隨后通過第二傳輸單元將冷卻后的晶圓傳送至傳送帶上。由于冷卻后的晶圓具有較低的溫度，因此晶圓背面不會與傳送帶發生反應，從而避免了晶圓背面殘留有機物，進而避免了在太陽能電池中引入缺陷，降低了太陽能電池內部發生載流子復合的概率，從而提高了太陽能電池的開路電壓和光電轉換效率。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體涉及一種工藝設備。

背景技術

太陽能作為一種綠色可再生的能源受到人們的廣泛關注。在太陽能的有效利用中，太陽能電池的研究和開發日益得到重視。晶體硅異質結太陽能電池綜合了晶體硅電池與薄膜電池的優勢，具有結構簡單、工藝溫度低、鈍化效果好、開路電壓高、溫度特性好、雙面發電等優點，是高轉換效率硅基太陽能電池的熱點方向之一。

從制備方法上來說，晶體硅異質結太陽能電池一般以n型單晶硅片為襯底，在襯底正面依次沉積本征摻氫非晶硅薄膜和p型摻氫非晶硅薄膜，在襯底背面依次沉積本征摻氫非晶硅薄膜和n型摻氫非晶硅薄膜；在上述結構的兩側沉積透明導電氧化物薄膜(TCO)；最后通過絲網印刷技術在透明導電氧化物薄膜的表面形成金屬集電極。在太陽能電池的制備過程中，通常采用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD)技術制備摻氫非晶硅薄膜，并通過物理氣相沉積(Physical Vapour Deposition，簡稱PVD)技術制備透明導電氧化物薄膜。當在CVD腔體中制備摻氫非晶硅薄膜后，需要將晶圓傳輸至PVD腔體中，在晶圓的傳輸過程中使用了機械手、傳送帶和其他傳送機構。其中，由機械手中的吸盤吸附晶圓正面并將晶圓轉移至傳送帶上，晶圓背面接觸傳送帶，并由傳送帶傳輸至其他傳送機構，隨后由其他傳送機構傳輸至PVD腔體。

然而，從CVD腔體轉移出來的晶圓的溫度為150℃－180℃，傳送帶的材料為有機材料，這使得晶圓轉移至傳送帶上時，晶圓背面與傳送帶發生反應，導致晶圓背面殘留有機物，從而在晶圓背面引入缺陷，最終導致太陽能電池的電學性能降低，如開路電壓和光電轉換效率降低。

實用新型內容

因此，本實用新型要解決的技術問題在于克服將晶圓從工藝腔體轉移至傳送帶的過程中晶圓的背面殘留有機物的缺陷而引起晶圓的電學性能降低的問題，從而提供一種工藝設備。

本實用新型提供一種工藝設備，所述工藝設備適于制備太陽能電池，包括：工藝腔體；冷卻單元，所述冷卻單元設置于所述工藝腔體的一側，所述冷卻單元包括冷卻板，所述冷卻板適于承載晶圓，所述晶圓適于制備太陽能電池；第一傳輸單元，所述第一傳輸單元位于所述工藝腔體和所述冷卻單元之間，所述第一傳輸單元適于將晶圓從所述工藝腔體中傳輸至所述冷卻單元；傳送帶，所述傳送帶設置于所述冷卻單元的一側；第二傳輸單元，所述第二傳輸單元適于將所述晶圓由所述冷卻單元傳送至所述傳送帶上。

可選的，所述冷卻板中具有冷卻管道；所述冷卻單元還包括：循環冷卻水箱，所述循環冷卻水箱適于給所述冷卻管道提供冷卻液。

可選的，所述冷卻板中開設若干第一通孔；所述冷卻單元還包括第一升降部件，所述第一升降部件包括：位于所述冷卻板底部的第一升降托盤；位于所述第一升降托盤上的第一頂針，所述第一頂針適于穿過所述第一通孔；位于所述第一升降托盤底部的第一升降驅動件。

可選的，所述第一傳輸單元包括：承載平臺；位于所述承載平臺上的環形導軌和旋轉平臺，所述旋轉平臺適于在所述環形導軌上方沿著所述環形導軌運動；設置在所述旋轉平臺上的線性導軌；位于所述旋轉平臺上的第一機械手臂，所述第一機械手臂適于沿著所述線性導軌進行往復運動；位于所述承載平臺下方的旋轉驅動件；貫穿所述承載平臺的第一傳動軸，所述第一傳動軸的一端連接所述旋轉平臺，所述第一傳動軸的另一端連接旋轉驅動件；位于所述承載平臺下方的滑動驅動件；貫穿所述承載平臺和所述旋轉平臺的第二傳動軸，所述第二傳動軸的一端連接所述滑動驅動件，所述第二傳動軸的另一端連接所述滑動平臺。