[發明專利]氣浮平臺動態水平度檢測方法及應用該方法的晶圓傳輸系統

有效

• 申請號: 202111676800.1
• 申請日: 2021-12-31
• 公開（公告）號: CN114322853B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 鮑偉成;張冬峰;王旭晨;王文廣;葉瑩
• 申請（專利權）人: 上海果納半導體技術有限公司
• 主分類號: G01B11/26
• 分類號: G01B11/26;H01L21/677
• 代理公司: 蘇州匯誠匯智專利代理事務所(普通合伙) 32623
• 代理人: 莫英妍

本發明公開了一種氣浮平臺動態水平度檢測方法，應用于晶圓傳輸系統，通過matlab分析第一片晶圓與第n+1片晶圓的坐標信息，根據第一片晶圓的位置與氣浮平臺達到動態穩定后的第n+1片晶圓的位置之間的偏移量α，抽象出幾何模型，通過公式計算出氣浮平臺的在達到動態平衡后的水平度偏差θ。采用本發明的一種氣浮平臺動態水平度檢測方法和晶圓傳輸系統，通過晶圓位置預對準，并且實時檢測晶圓傳輸到氣浮平臺上的位置，供檢測系統實時調整檢測模塊的位置或進行檢測結果校正，提高了檢測精度，避免檢測誤差，提高了工作效率。

技術領域

本發明涉及晶圓檢測領域，具體涉及氣浮平臺動態水平度檢測方法及應用該方法的晶圓傳輸系統。

背景技術

半導體晶圓檢測設備通常配合氣浮平臺使用，將晶圓放置于氣浮平臺，再進行各項檢測，但是氣浮平臺在使用過程中的微米級別的水平度變化上尚沒有可靠并實用的檢測方案，尤其在氣浮平臺位置初始化后的水平度的變化，往往會在使用過程中引入傳片誤差(由于系統重啟后，氣浮平臺的水平度發生變化，導致傳送到氣浮平臺上的每一片晶圓/晶片的位置與前一片晶圓/晶片的位置均存在一定的位移偏差)，進而導致檢測誤差產生。

發明內容

為克服上述背景技術中氣浮平臺上的每一片晶圓/晶片的位置與前一片晶圓/晶片的位置均存在一定的位移偏差，進而導致檢測誤差產生的缺點，本發明的目的在于提氣浮平臺動態水平度檢測方法及應用的晶圓傳輸系統。

為了達到以上目的，本發明采用的技術方案是：一種氣浮平臺動態水平度檢測方法，應用于晶圓傳輸系統，通過圖像記錄裝置記錄晶圓在氣浮平臺上的坐標信息，通過圖像分析模塊第一片晶圓與第n+1片晶圓的坐標信息，根據第一片晶圓的位置與氣浮平臺達到動態穩定后的第n+1片晶圓的位置之間的偏移量α，計算出氣浮平臺的在達到動態平衡后的水平度偏差θ，所述公式如下：

其中，α是根據圖像記錄裝置記錄的圖像的像素計算得出的第一片晶圓與第n+1片晶圓在側邊的相切點與圓心的連線延長線上的最大偏移量；L為晶圓直徑。

為了對本技術方案進行進一步補充，一種晶圓傳輸系統，該晶圓傳輸系統用于將待晶圓傳輸到氣浮平臺，并在晶圓完成檢測后，將晶圓從氣浮平臺上搬走，該傳輸系統包括：

裝載機器人：用于將晶圓搬運至若干個指定位置；

晶圓校準臺：用于并根據預先設定好的位置和NOTCH角度來調整晶圓的位置；

圖像記錄裝置：設置在氣浮平臺正上方，通過拍照記錄晶圓在氣浮平臺上的坐標信息。

為了對本技術方案進行進一步補充，所述圖像記錄裝置設置在氣浮平臺的垂直正上方，位置保持不變；每次拍攝范圍固定，每檢測一片晶圓，拍攝一次。

為了對本技術方案進行進一步補充，所述裝載機器人每次搬運一片晶圓至氣浮平臺，待檢測結束后，將此片晶圓搬走，再搬運下一片晶圓至氣浮平臺進行檢測，如此往復。

為了對本技術方案進行進一步補充，所述裝載機器人重復搬運并釋放晶圓的空間位置固定不變。

為了對本技術方案進行進一步補充，所述晶圓校準臺的正上方還設置有工業相機，用于讀取晶圓wafer?ID碼和NOTCH角度。

為了對本技術方案進行進一步補充，所述圖像分析模塊采用matlab，以讀取圖片中任一點位的坐標。

為了對本技術方案進行進一步補充，所述指定位置包括晶圓校準臺上的校準位置和氣浮平臺上的晶圓檢測位置。