[發(fā)明專利]一種CrSi基合金靶材及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111671890.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114262873A | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張鳳戈;魏鐵峰;張學(xué)華;岳萬(wàn)祥;張欠男;李建奎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京安泰六九新材料科技有限公司;涿州安泰六九新材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34;C23C14/32;C22C27/06;B22F9/04;B22F3/15;B22F1/142 |
| 代理公司: | 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 榮紅穎;劉春成 |
| 地址: | 100081 北京市海*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 crsi 合金 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種CrSi基合金靶材及其制備方法,所述CrSi基合金靶材按照原子百分比由以下成分組成:Si 1?30%;Me 0?10%,余量為Cr;其中,Me選自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一種或多種。本發(fā)明通過選擇CrSi2合金粉、Cr粉,或者選擇CrSi2合金粉、Cr粉及Me粉作為預(yù)合金粉末來制備CrSi基合金靶材;制備得到的CrSi基合金靶材相對(duì)密度高,晶粒尺寸均勻,且可有效解決傳統(tǒng)工藝存在的靶材脆性大,易開裂、難加工的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于粉末冶金材料的制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種CrSi基合金靶材及其制備方法,更具體地涉及一種CrSi合金靶材、CrSiMe合金靶材及其制備方法。
背景技術(shù)
鉻作為硬質(zhì)涂層最廣泛應(yīng)用的材料,可以為刀具、模具、零部件、裝飾、衛(wèi)浴等領(lǐng)域提供耐磨、耐腐性涂層。硬質(zhì)涂層鉻(Cr)和氮化鉻(CrN)以及DLC涂層可以為汽車活塞環(huán)和氣門挺柱等發(fā)動(dòng)機(jī)元件提供最佳保護(hù),延長(zhǎng)重要零部件的使用壽命。自1995年通過物理氣相沉積法(PVD)將涂層成功引進(jìn)到汽車行業(yè)以來,上述那些早期保證了發(fā)動(dòng)機(jī)高性能的涂層部件至今仍有市場(chǎng)并不斷增長(zhǎng)。在PVD制備CrN硬質(zhì)涂層過程中,其主要的原材料為Cr靶材,但隨著應(yīng)用的不斷發(fā)展,各領(lǐng)域?qū)rN涂層的性能要求(如硬度、耐高溫性能、抗氧化性能、耐磨性能等)也在不斷的提升。
現(xiàn)有技術(shù)中,常用的提升CrN涂層性能的方法是在原材料Cr靶材中加入Si元素,然后通過PVD沉積將Si引入到涂層中來細(xì)化涂層的晶粒,進(jìn)而提升涂層的耐高溫及抗氧化性能。目前,傳統(tǒng)的CrSi合金靶材的制備工藝為單質(zhì)Cr粉、Si粉混合后裝入包套中通過熱等靜壓(HIP)進(jìn)行燒結(jié)成型。在HIP過程中Cr和Si會(huì)發(fā)生劇烈的合金化反應(yīng)從而產(chǎn)生脆性的CrSi合金相,使得合金靶材存在加工崩邊或開裂,甚至無法加工的問題。此外,在HIP過程中,由于Cr和Si發(fā)生合金化反應(yīng)會(huì)放出大量的熱,容易造成外包套(通常為不銹鋼材質(zhì))熔化,因此HIP溫度不宜過高(一般<1000℃),最終使得制得的合金靶材無法達(dá)到較高的致密度。
因此,提供一種能夠有效解決傳統(tǒng)CrSi合金靶材在制備過程中由于Cr和Si發(fā)生合金化而使得合金靶材難加工和密度低的問題尤其重要。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足及缺陷,本發(fā)明旨在提供一種CrSi基合金靶材(CrSi合金靶材、CrSiMe合金靶材)及其制備方法;本發(fā)明通過選擇CrSi2合金粉、Cr粉或者選擇CrSi2合金粉、Cr粉及Me粉(Me選自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一種或多種)作為預(yù)合金粉末來制備CrSi基合金靶材;制備得到的CrSi基合金靶材相對(duì)密度高(>99%),晶粒尺寸均勻,脆性低,適合各種尺寸靶的加工。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明第一方面提供了一種CrSi基合金靶材,采用如下的技術(shù)方案:
一種CrSi基合金靶材,按照原子百分比由以下成分組成:Si 1-30%(比如2%、5%、8%、12%、15%、20%、25%);Me 0-10%(比如2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%),余量為Cr;其中,Me選自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一種或多種。
在上述CrSi基合金靶材中,作為一種優(yōu)選實(shí)施方式,所述CrSi基合金靶材為CrSi合金靶材,按照原子百分比由以下成分組成:Si 1-30%(比如2%、5%、8%、12%、15%、20%、25%),余量為Cr;優(yōu)選地,所述CrSi合金靶材的相對(duì)密度99%(比如99.2%、99.4%、99.6%、99.8%)。
本發(fā)明中,在CrSi合金靶材中,若Si含量超過30at%,則制得的CrSi合金靶材會(huì)很脆,易開裂,無法進(jìn)行后續(xù)加工。
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C23 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





