[發明專利]一種CrSi基合金靶材及其制備方法

在審

• 申請號: 202111671890.5
• 申請日: 2021-12-31
• 公開（公告）號: CN114262873A
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 張鳳戈;魏鐵峰;張學華;岳萬祥;張欠男;李建奎
• 申請（專利權）人: 北京安泰六九新材料科技有限公司;涿州安泰六九新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/32;C22C27/06;B22F9/04;B22F3/15;B22F1/142
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387
• 代理人: 榮紅穎;劉春成

1.一種CrSi基合金靶材，其特征在于，按照原子百分比由以下成分組成：Si 1-30％；Me0-10％，余量為Cr；其中，Me選自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的CrSi基合金靶材，其特征在于，所述CrSi基合金靶材為CrSi合金靶材，按照原子百分比由以下成分組成：Si 1-30％，余量為Cr；優選地，所述CrSi合金靶材的相對密度99％。

3.據權利要求1所述的CrSi基合金靶材，其特征在于，所述CrSi基合金靶材為CrSiMe合金靶材，按照原子百分比由以下成分組成：Si 1-30％，Me 1-10％，余量為Cr；其中Me選自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一種或多種；優選地，所述CrSiMe合金靶材的相對密度99％。

4.一種CrSi基合金靶材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、預合金粉末的制備；

步驟二、將上述預合金粉末裝入包套后進行脫氣處理；

步驟三、將上述經脫氣處理后的包套進行熱等靜壓處理，得到成型后的定坯，再去除包套后得到壓制后的坯料。

5.根據權利要求4所述的CrSi基合金靶材的制備方法，其特征在于，所述預合金粉末為CrSi合金粉，所述CrSi合金粉通過將CrSi₂合金粉、Cr粉按照一定比例機械混合均勻得到；優選地，所述CrSi合金粉中按照原子百分比由以下成分組成：Si 1-30％，余量為Cr。

6.根據權利要求5所述的CrSi基合金靶材的制備方法，其特征在于，所述CrSi合金粉中，所述CrSi₂合金粉的純度為≥99.5％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為200目-500目，所述Cr粉的純度為≥99.5％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為80目-325目；優選地，所述CrSi₂合金粉的純度為99.8％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為325目，所述Cr粉的純度為99.8％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為325目。

7.根據權利要求4所述的CrSi基合金靶材的制備方法，其特征在于，所述預合金粉末為CrSiMe合金粉，所述CrSiMe合金粉通過將CrSi₂合金粉、Cr粉及Me粉按照一定比例機械混合均勻得到，其中，所述Me粉選自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一種或多種得到的粉體；優選地，所述CrSiMe合金粉中按照原子百分比由以下成分組成：Si 1-30％，Me 1-10％，余量為Cr；其中Me選自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一種或多種。

8.根據權利要求7所述的CrSi基合金靶材的制備方法，其特征在于，所述CrSiMe合金粉中，所述CrSi₂合金粉的純度為≥99.5％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為200目-500目，所述Cr粉的純度為≥99.5％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為80目-325目，所述Me粉的純度為≥99.5％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為200目-500目；優選地，所述CrSi₂合金粉的純度為99.8％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為325目，所述Cr粉的純度為99.8％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為325目，所述Me粉的純度為99.8％，是經過過篩處理后得到的，過篩處理的篩孔為325目。