[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111661669.1
• 申請(qǐng)日: 2021-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN114326338B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾仙雄;軒攀登;方超;魏禹農(nóng);吁衛(wèi)東;袁元;陳安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G03F9/00
• 分類號(hào): G03F9/00
• 代理公司: 北京英思普睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國斌

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

多個(gè)存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上，相鄰的所述存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)之間通過切割道彼此分隔；

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，位于所述襯底的暴露于所述切割道內(nèi)的區(qū)域中，用于實(shí)現(xiàn)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)；以及

虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)，位于所述襯底上，并位于包含所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的所述切割道中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，在垂直于所述襯底的方向上，所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)的高度與所述存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)的高度相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，沿包含所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的所述切割道的寬度方向，

所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)位于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與相鄰的所述存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，沿包含所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的所述切割道的長(zhǎng)度方向，

所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)與鄰近的所述存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)彼此平行設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，沿包含所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的所述切割道的長(zhǎng)度方向，所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度大于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的長(zhǎng)度，且所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)的兩端分別突出于所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)的兩端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，在包含所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的所述切割道中具有多個(gè)所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述多個(gè)虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)彼此間隔設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，每個(gè)所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)在與所述襯底平行的任一平面上的截面形狀均相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，在與所述襯底平行的同一平面上，所述多個(gè)虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)的截面形狀彼此相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)包括交替疊置的多個(gè)犧牲層和層間絕緣層，以及

所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)具有與所述存儲(chǔ)堆疊結(jié)構(gòu)相同的交替疊置的多個(gè)犧牲層和層間絕緣層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

介質(zhì)層，位于所述切割道內(nèi)存在的空隙中以及所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的頂面上。

12.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底中形成暴露于所述襯底表面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記用于實(shí)現(xiàn)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)；

在所述襯底上形成疊層結(jié)構(gòu)；以及

去除部分所述疊層結(jié)構(gòu)，以形成貫穿所述疊層結(jié)構(gòu)至所述襯底的切割道，并在包含所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的所述切割道中保留部分所述疊層結(jié)構(gòu)以形成虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，去除部分所述疊層結(jié)構(gòu)，以形成貫穿所述疊層結(jié)構(gòu)至所述襯底的切割道，并在包含所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的所述切割道中形成虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)包括：

形成掩模層，

經(jīng)由所述掩模層對(duì)所述疊層結(jié)構(gòu)的切割道區(qū)域進(jìn)行刻蝕，在包含所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的切割道區(qū)域，保留部分所述疊層結(jié)構(gòu)以形成所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述疊層結(jié)構(gòu)包括交替疊置的犧牲層和層間絕緣層，所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)具有與所述疊層結(jié)構(gòu)相同的交替疊置的所述犧牲層和所述層間絕緣層。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，沿垂直于所述襯底的方向，

所述虛設(shè)輔形結(jié)構(gòu)的高度與所述疊層結(jié)構(gòu)的高度相等。