[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111661587.7 | 申請日: | 2021-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN114335026A | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫少君;張亞嬌;劉承俊;李海光;池彥菲;魯俊祥;陳凡;俞洋;林祥棟;胡貴光;蔡繼輝 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 李遠思 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置,其中本發(fā)明一實施例的陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),包括襯底和層疊設(shè)置在襯底上的源漏層、覆蓋源漏層的保護層、以及設(shè)置在保護層上的電極層,源漏層包括源極和漏極,電極層包括像素電極;非顯示區(qū)包括:與源極和漏極同層設(shè)置的第一信號線;貫通保護層的至少一個第一過孔,第一過孔包括第一孔區(qū)、以及設(shè)置在保護層遠離源漏層一側(cè)的并且圍繞第一孔區(qū)的第一斜坡區(qū),第一信號線在襯底上的正投影覆蓋第一過孔在襯底上的正投影;以及與像素電極同層設(shè)置的導(dǎo)電部,導(dǎo)電部覆蓋所述第一過孔。本發(fā)明提供的陣列基板通過設(shè)置第一過孔包括第一孔區(qū)和圍繞第一孔區(qū)的第一斜坡區(qū),避免導(dǎo)電部搭接不良。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置。
背景技術(shù)
在制作陣列基板時,源漏層上的保護層在刻蝕過孔過程中,不同區(qū)域膜質(zhì)可能存在差異,刻蝕后存在微小尖端,在非顯示區(qū),過孔刻蝕后微小尖端的存在使得源漏層上與像素電極同層設(shè)置的導(dǎo)電部存在搭接不良的風險。
當導(dǎo)電部用作數(shù)據(jù)線時,負載電壓較小,過孔處導(dǎo)電部搭接不良將導(dǎo)致充電不足,將使得搭接不良的過孔對應(yīng)的顯示區(qū)的橫向像素產(chǎn)生X-薄線;當導(dǎo)電部用作柵極信號線時,負載電壓較大,過孔處導(dǎo)電部搭接不良將導(dǎo)致過孔燒毀,將使得與搭接不良的過孔對應(yīng)的顯示區(qū)的縱向像素產(chǎn)生Y-薄線。因此,刻蝕過孔后微小尖端的存在嚴重影響產(chǎn)品性能。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題至少之一,本發(fā)明的第一個方面提供一種陣列基板,包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),包括襯底和層疊設(shè)置在襯底上的源漏層、覆蓋源漏層的保護層、以及設(shè)置在保護層上的電極層,源漏層包括源極和漏極,電極層包括像素電極;
非顯示區(qū)包括:
與源極和漏極同層設(shè)置的第一信號線;
貫通保護層的至少一個第一過孔,第一過孔包括第一孔區(qū)、以及設(shè)置在保護層遠離源漏層一側(cè)的并且圍繞第一孔區(qū)的第一斜坡區(qū),第一信號線在襯底上的正投影覆蓋第一過孔在襯底上的正投影;以及
與像素電極同層設(shè)置的導(dǎo)電部,導(dǎo)電部覆蓋第一過孔。
在一些可選的實施例中,陣列基板包括層疊設(shè)置在襯底上的柵極層、覆蓋柵極層的柵極絕緣層、源漏層和保護層,柵極層包括柵極,
非顯示區(qū)還包括:
與柵極同層設(shè)置的第二信號線;
貫通保護層和柵極絕緣層的至少一個第二過孔,第二信號線在襯底上的正投影覆蓋第二過孔在襯底上的正投影,
其中,第一信號線還包括第一信號子線,導(dǎo)電部還包括第一導(dǎo)電子部,第一導(dǎo)電子部覆蓋第二過孔,第二信號線通過第一導(dǎo)電子部經(jīng)第二過孔與第一信號子線電連接,并且第一信號子線在襯底上的正投影與第二信號線在襯底上的正投影不重疊。
在一些可選的實施例中,非顯示區(qū)還包括:
貫通保護層的至少一個第三過孔,第三過孔包括第三孔區(qū)、以及設(shè)置在保護層遠離源漏層一側(cè)的并且圍繞第三孔區(qū)的第三斜坡區(qū),
其中,第一信號線還包括第二信號子線,導(dǎo)電部還包括第二導(dǎo)電子部,第二導(dǎo)電子部覆蓋第三過孔,第二信號子線經(jīng)第一過孔和第三過孔通過第二導(dǎo)電子部與源極或者漏極電連接,并且第二信號子線在襯底上的正投影與源極或漏極在襯底上的正投影不重疊。
在一些可選的實施例中,在沿第一孔區(qū)至第一斜坡區(qū)的方向上,第一斜坡區(qū)的寬度大于等于2μm且小于等于3μm。
本發(fā)明第二方面提供一種顯示裝置,包括上文所述的陣列基板。
本發(fā)明第三方面提供一種陣列基板的制作方法,陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),方法包括:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





