[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111661587.7
• 申請(qǐng)日: 2021-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114335026A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫少君;張亞嬌;劉承俊;李海光;池彥菲;魯俊祥;陳凡;俞洋;林祥棟;胡貴光;蔡繼輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 李遠(yuǎn)思

1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，其特征在于，包括襯底和層疊設(shè)置在所述襯底上的源漏層、覆蓋所述源漏層的保護(hù)層、以及設(shè)置在所述保護(hù)層上的電極層，所述源漏層包括源極和漏極，所述電極層包括像素電極；

所述非顯示區(qū)包括：

與所述源極和漏極同層設(shè)置的第一信號(hào)線；

貫通所述保護(hù)層的至少一個(gè)第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔包括第一孔區(qū)、以及設(shè)置在所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述源漏層一側(cè)的并且圍繞所述第一孔區(qū)的第一斜坡區(qū)，所述第一信號(hào)線在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一過(guò)孔在所述襯底上的正投影；以及

與所述像素電極同層設(shè)置的導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部覆蓋所述第一過(guò)孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括層疊設(shè)置在所述襯底上的柵極層、覆蓋所述柵極層的柵極絕緣層、所述源漏層和所述保護(hù)層，所述柵極層包括柵極，

所述非顯示區(qū)還包括：

與所述柵極同層設(shè)置的第二信號(hào)線；

貫通所述保護(hù)層和所述柵極絕緣層的至少一個(gè)第二過(guò)孔，所述第二信號(hào)線在所述襯底上的正投影覆蓋所述第二過(guò)孔在所述襯底上的正投影，

其中，所述第一信號(hào)線還包括第一信號(hào)子線，所述導(dǎo)電部還包括第一導(dǎo)電子部，所述第一導(dǎo)電子部覆蓋所述第二過(guò)孔，所述第二信號(hào)線通過(guò)所述第一導(dǎo)電子部經(jīng)所述第二過(guò)孔與所述第一信號(hào)子線電連接，并且所述第一信號(hào)子線在所述襯底上的正投影與所述第二信號(hào)線在所述襯底上的正投影不重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述非顯示區(qū)還包括：

貫通所述保護(hù)層的至少一個(gè)第三過(guò)孔，所述第三過(guò)孔包括第三孔區(qū)、以及設(shè)置在所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述源漏層一側(cè)的并且圍繞所述第三孔區(qū)的第三斜坡區(qū)，

其中，所述第一信號(hào)線還包括第二信號(hào)子線，所述導(dǎo)電部還包括第二導(dǎo)電子部，所述第二導(dǎo)電子部覆蓋所述第三過(guò)孔，所述第二信號(hào)子線經(jīng)所述第一過(guò)孔和所述第三過(guò)孔通過(guò)所述第二導(dǎo)電子部與所述源極或者漏極電連接，并且所述第二信號(hào)子線在所述襯底上的正投影與所述源極或所述漏極在所述襯底上的正投影不重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在沿所述第一孔區(qū)至所述第一斜坡區(qū)的方向上，所述第一斜坡區(qū)的寬度大于等于2μm且小于等于3μm。

5.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的陣列基板。

6.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上形成源漏層，所述源漏層包括源極和漏極、以及位于所述非顯示區(qū)中的與所述源極和所述漏極同層設(shè)置的第一信號(hào)線；

在所述源漏層上形成保護(hù)層；

基于第一掩模板對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行圖案化形成貫通所述保護(hù)層的至少一個(gè)第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔包括第一孔區(qū)、以及設(shè)置在所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述源漏層一側(cè)的并且圍繞所述第一孔區(qū)的第一斜坡區(qū)，所述第一信號(hào)線在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一過(guò)孔在所述襯底上的正投影；

在所述保護(hù)層上形成電極層，所述電極層包括像素電極、以及位于非顯示區(qū)中的與所述像素電極同層設(shè)置的導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部覆蓋所述第一過(guò)孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩模板包括完全透光區(qū)、部分透光區(qū)和不透光區(qū)，所述部分透光區(qū)與所述第一斜坡區(qū)相對(duì)應(yīng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述部分透光區(qū)的寬度大于等于2μm且小于等于3μm，并且光透光率大于等于20％且小于等于40％。