[發(fā)明專利]一種晶圓芯片的測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111642521.3
• 申請(qǐng)日: 2021-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN114201350A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海賽美特軟件科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F11/22
• 分類號(hào): G06F11/22
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉鳳

1.一種晶圓芯片的測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試方法包括：

獲取目標(biāo)測(cè)試區(qū)中每個(gè)晶圓芯片在工作過程中的多個(gè)配置參數(shù)；

將每個(gè)晶圓芯片的各個(gè)配置參數(shù)分別與對(duì)應(yīng)的參數(shù)類型的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格閾值區(qū)間進(jìn)行比較，并將不屬于所述標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格閾值區(qū)間的配置參數(shù)標(biāo)記為標(biāo)記測(cè)試參數(shù)；

將各個(gè)晶圓芯片的全部標(biāo)記測(cè)試參數(shù)分別輸入組合規(guī)則判斷函數(shù)中，輸出不符合所述組合規(guī)則判斷函數(shù)中任意一個(gè)或多個(gè)規(guī)則的晶圓芯片，并將該晶圓芯片確定為不合格晶圓芯片；

根據(jù)所述不合格晶圓芯片對(duì)應(yīng)的不符合所述組合規(guī)則判斷函數(shù)中的規(guī)則數(shù)量，對(duì)各個(gè)所述不合格晶圓芯片按照不同調(diào)改方式進(jìn)行處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，在所述獲取目標(biāo)測(cè)試區(qū)中每個(gè)晶圓芯片在工作過程中的多個(gè)配置參數(shù)之前，所述測(cè)試方法還包括：

確定目標(biāo)測(cè)試區(qū)的測(cè)試類型與所述晶圓芯片的芯片類型相匹配。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，通過以下方式獲取每個(gè)配置參數(shù)對(duì)應(yīng)的參數(shù)類型的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格閾值區(qū)間：

根據(jù)晶圓芯片的生產(chǎn)編號(hào)，確定每個(gè)配置參數(shù)對(duì)應(yīng)的參數(shù)類型；

從參數(shù)類型與閾值區(qū)間映射表中，獲取每個(gè)所述配置參數(shù)對(duì)應(yīng)的所述參數(shù)類型的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格閾值區(qū)間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，通過以下步驟確定任一晶圓芯片不符合組合規(guī)則判斷函數(shù)中的第一規(guī)則：

針對(duì)每個(gè)晶圓芯片進(jìn)行第一區(qū)域劃分，確定每個(gè)區(qū)域中的標(biāo)記測(cè)試參數(shù)的數(shù)量；

若任一所述區(qū)域內(nèi)的所述標(biāo)記測(cè)試參數(shù)的數(shù)量大于第一閾值，確定所述晶圓芯片不符合組合規(guī)則判斷函數(shù)中的第一規(guī)則。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，通過以下步驟確定任一晶圓芯片不符合組合規(guī)則判斷函數(shù)中的第二規(guī)則：

針對(duì)每個(gè)晶圓芯片進(jìn)行第二區(qū)域劃分，確定含有標(biāo)記測(cè)試參數(shù)的第二區(qū)域的數(shù)量；

若所述第二區(qū)域的數(shù)量大于第二閾值，判斷每個(gè)所述第二區(qū)域中所述標(biāo)記測(cè)試參數(shù)對(duì)應(yīng)的參數(shù)類型是否相同；

若每個(gè)所述第二區(qū)域中所述標(biāo)記測(cè)試參數(shù)對(duì)應(yīng)的參數(shù)類型相同，則確定所述晶圓芯片不符合組合規(guī)則判斷函數(shù)中的第二規(guī)則。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，通過以下步驟確定任一晶圓芯片不符合組合規(guī)則判斷函數(shù)中的第三規(guī)則：

分別統(tǒng)計(jì)所述晶圓芯片中標(biāo)記測(cè)試參數(shù)的第一數(shù)量和配置參數(shù)的第二數(shù)量；

若所述晶圓芯片的所述第一數(shù)量與所述第二數(shù)量之間的比例大于第一預(yù)設(shè)比例，則確定該晶圓芯片不符合組合規(guī)則判斷函數(shù)中的第三規(guī)則。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，通過以下步驟確定任一晶圓芯片不符合組合規(guī)則判斷函數(shù)中的第四規(guī)則：

針對(duì)每個(gè)晶圓芯片進(jìn)行第三區(qū)域劃分，確定含有標(biāo)記測(cè)試參數(shù)的第三區(qū)域的數(shù)量；

分別統(tǒng)計(jì)所述晶圓芯片中標(biāo)記測(cè)試參數(shù)的第四數(shù)量和每個(gè)所述第三區(qū)域中所述標(biāo)記測(cè)試參數(shù)的第三數(shù)量；

若任一所述第三區(qū)域的所述第三數(shù)量與所述晶圓芯片的所述第四數(shù)量之間的比例大于第二預(yù)設(shè)比例，則確定該晶圓芯片不符合組合規(guī)則判斷函數(shù)中的第四規(guī)則。

8.一種晶圓芯片的測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試裝置包括：

獲取模塊，用于獲取目標(biāo)測(cè)試區(qū)中每個(gè)晶圓芯片在工作過程中的多個(gè)配置參數(shù)；

標(biāo)記模塊，用于將每個(gè)晶圓芯片的各個(gè)配置參數(shù)分別與對(duì)應(yīng)的參數(shù)類型的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格閾值區(qū)間進(jìn)行比較，并將不屬于所述標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格閾值區(qū)間的配置參數(shù)標(biāo)記為標(biāo)記測(cè)試參數(shù)；

第一確定模塊，用于將各個(gè)晶圓芯片的全部標(biāo)記測(cè)試參數(shù)分別輸入組合規(guī)則判斷函數(shù)中，輸出不符合所述組合規(guī)則判斷函數(shù)中任意一個(gè)或多個(gè)規(guī)則的晶圓芯片，并將該晶圓芯片確定為不合格晶圓芯片；

調(diào)改模塊，用于根據(jù)所述不合格晶圓芯片對(duì)應(yīng)的不符合所述組合規(guī)則判斷函數(shù)中的規(guī)則數(shù)量，對(duì)各個(gè)所述不合格晶圓芯片按照不同調(diào)改方式進(jìn)行處理。