[發(fā)明專利]鏤空銅箔及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111639758.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114284369B | 公開(公告)日: | 2023-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高小君;張鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 明冠新材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州大成君合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32547 | 代理人: | 張伯坤 |
| 地址: | 336000 江西省宜*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鏤空 銅箔 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明的目的在于揭示一種鏤空銅箔及其制備方法,開發(fā)具有一定厚度的鏤空銅箔電極,以替代現(xiàn)有的銀漿柵線電極,降低電極成本,鏤空銅箔,銅箔厚度為25μm?100μm,所述銅箔為鏤空結(jié)構(gòu),所述銅箔作為硅片的電極,鏤空銅箔的制備方法,包括以下步驟:將銅箔與聚丙烯薄膜進(jìn)行復(fù)合,形成復(fù)合銅箔;對(duì)復(fù)合銅箔的銅箔面進(jìn)行刻蝕形成鏤空銅箔,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:銅的電阻率為1.75*10supgt;?8/supgt;Ω.m,而銀的電阻率為1.65*10supgt;?8/supgt;Ω.m,以鏤空銅箔替代現(xiàn)有的銀漿柵線作為光伏電池片電極,降低電池片的電極材料成本,但因銅的電阻率與銀的電阻率相對(duì)接近,對(duì)光伏電池片的光電性能影響在可接受范圍內(nèi)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鏤空銅箔及其制備方法。
背景技術(shù)
在光伏電池技術(shù)領(lǐng)域,現(xiàn)有的光伏組件還是以PERC電池為主,其光轉(zhuǎn)化效率極限約為24%,PERC電池的電極柵線材料需要消耗銀漿,銀漿在PERC電池組件中的成本占比較高,據(jù)統(tǒng)計(jì),銀漿在電池片中的非硅成本占比高達(dá)33%。當(dāng)前,HIT(Heterojunction?withIntrinsic?Thinfilm)光伏電池片(又叫異質(zhì)結(jié)電池片)因其工藝流程簡(jiǎn)化且光轉(zhuǎn)化效率高等優(yōu)勢(shì),受到行業(yè)青睞,但HIT光伏電池片的雙面電極都需要銀漿作為電極,且需要的是成本更高的低溫銀漿,而低溫銀漿需要冷鏈運(yùn)輸,每個(gè)HIT光伏電池片消耗銀漿的重量約為300mg以上,使的單片電池成本上升。綜上,銀漿因其電阻率低、導(dǎo)電性良好,其作為電極材料在電池片中起到重要的導(dǎo)電作用,其性能直接關(guān)系到光伏電池的光電性能;但鑒于銀漿成本高、大力發(fā)展銀漿電極也會(huì)受到資源短缺的限制。
為此,需要開發(fā)一種新的光伏硅片電極,選擇電阻率略低于銀,但成本缺可以大幅減小的電極,也就是如何開發(fā)一種既能降低光伏硅片電極成本,同時(shí)又能滿足電池片對(duì)電極導(dǎo)電性能的要求,成為了困擾行業(yè)的難題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于揭示一種鏤空銅箔及其制備方法,開發(fā)具有一定厚度的鏤空銅箔電極,以替代現(xiàn)有的銀漿柵線電極,降低電極成本。
為實(shí)現(xiàn)上述第一個(gè)發(fā)明目的,本發(fā)明提供了鏤空銅箔,銅箔厚度為25μm-100μm,所述銅箔為鏤空結(jié)構(gòu),所述銅箔作為硅片的電極。
優(yōu)選地,所述銅箔包括橫向銅帶、縱向銅帶和鏤空部,所述鏤空部為矩形或多邊形,所述橫向銅帶和所述縱向銅帶交叉連接。
優(yōu)選地,所述橫向銅帶的寬度為30μm-100μm。
優(yōu)選地,所述縱向銅帶的寬度為30μm-100μm。
優(yōu)選地,所述鏤空銅箔與硅片表面復(fù)合并作為電極。
為實(shí)現(xiàn)上述第二個(gè)發(fā)明目的,本發(fā)明提供了鏤空銅箔的制備方法,包括以下步驟:
將銅箔與聚丙烯薄膜進(jìn)行復(fù)合,形成復(fù)合銅箔;
對(duì)復(fù)合銅箔的銅箔面進(jìn)行刻蝕形成鏤空銅箔。
優(yōu)選地,銅箔厚度為25μm-100μm,所述復(fù)合銅箔作為硅片的電極,所述鏤空銅箔與硅片之間通過(guò)熱壓復(fù)合。
優(yōu)選地,所述銅箔包括橫向銅帶、縱向銅帶和鏤空部,所述鏤空部為矩形或多邊形,所述橫向銅帶和所述縱向銅帶交叉連接。
優(yōu)選地,所述橫向銅帶的寬度為30μm-100μm,所述縱向銅帶的寬度為30μm-100μm。
優(yōu)選地,所述銅箔的厚度小于等于所述聚丙烯薄膜的厚度。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





