[發明專利]鏤空銅箔及其制備方法有效
| 申請號： | 202111639758.6 | 申請日： | 2021-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN114284369B | 公開（公告）日： | 2023-09-01 |
| 發明（設計）人： | 高小君;張鵬 | 申請（專利權）人： | 明冠新材料股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州大成君合知識產權代理事務所(普通合伙) 32547 | 代理人： | 張伯坤 |
| 地址： | 336000 江西省宜*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鏤空 銅箔 及其 制備 方法 | ||
1.?鏤空銅箔，其特征在于，銅箔厚度為25μm?-100μm，所述銅箔為鏤空結構，所述銅箔作為硅片的電極，所述鏤空銅箔與硅片之間通過熱壓復合；
將銅箔與聚丙烯薄膜進行復合，形成復合銅箔，所述聚丙烯薄膜以厚度為50μm?-75μm的PET膜為支撐膜，在使用時，將PET膜撕下后迅速將復合銅箔與電池片進行熱壓；
在熱壓過程中，聚丙烯薄膜熱熔軟化，使得銅電極鏤空處的聚丙烯薄膜與電池片表面形成粘合，實現在聚丙烯薄膜與電池片的復合；
所述銅箔包括橫向銅帶、縱向銅帶和鏤空部，所述鏤空部為多邊形，所述橫向銅帶和所述縱向銅帶交叉連接；
所述銅箔的厚度小于等于所述聚丙烯薄膜的厚度；
所述橫向銅帶的寬度為30μm?-100μm；
所述縱向銅帶的寬度為30μm?-100μm。
2.如權利要求1所述的鏤空銅箔，其特征在于，所述鏤空銅箔與硅片表面復合并作為電極。
3.鏤空銅箔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
將銅箔與聚丙烯薄膜進行復合，形成復合銅箔；
對復合銅箔的銅箔面進行刻蝕形成鏤空銅箔；
銅箔厚度為25μm?-100μm，所述復合銅箔作為硅片的電極，所述鏤空銅箔與硅片之間通過熱壓復合；
所述聚丙烯薄膜以厚度為50μm?-75μm的PET膜為支撐膜，在使用時，將PET膜撕下后迅速將復合銅箔與電池片進行熱壓；
在熱壓過程中，聚丙烯薄膜熱熔軟化，使得銅電極鏤空處的聚丙烯薄膜與電池片表面形成粘合，實現在聚丙烯薄膜與電池片的復合；
所述銅箔包括橫向銅帶、縱向銅帶和鏤空部，所述鏤空部為多邊形，所述橫向銅帶和所述縱向銅帶交叉連接；
所述銅箔的厚度小于等于所述聚丙烯薄膜的厚度；
所述橫向銅帶的寬度為30μm?-100μm；
所述縱向銅帶的寬度為30μm?-100μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
