[發明專利]直拉單晶爐熱屏裝置及提高拉晶速率的方法

有效

• 申請號: 202111639258.2
• 申請日: 2021-12-29
• 公開（公告）號: CN114369866B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 丁亞國;李玲玲;梁萬亮;馬國忠;顧燕濱
• 申請（專利權）人: 寧夏申和新材料科技有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 寧夏三源鑫知識產權代理事務所(普通合伙) 64105
• 代理人: 孫彥虎

本發明提供一種直拉單晶爐熱屏裝置及提高拉晶速率的方法，屬于提高拉晶速率工藝的技術領域，包括：導流筒、水冷屏，所述導流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的內側壁設置有凹坑，單晶爐加熱器位于爐體底部，布設于坩堝底部或側壁上，單晶硅拉制過程中，加熱器的溫度自加熱爐底部向上折射，本發明在所述水冷屏的內側壁設置凹坑，通過凹坑能夠增加水冷屏的熱折射方向，使得熱折射向上，減少熱折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降溫，且所述凹坑有利于增大水冷屏散熱面積，且增加了水冷屏的吸熱效率，提高加熱爐腔內散熱效率，進而使得單晶棒拉制的過程中拉速提高，進而拉制單晶棒的產率提高。

技術領域

本發明涉及提高拉晶速率工藝技術領域，具體涉及一種直拉單晶爐熱屏裝置及提高拉晶速率的方法。

背景技術

直拉單晶爐中設置有熱屏裝置，用于單晶爐內制造均勻的熱場，現有技術中的熱屏表面外壁光滑，單晶硅拉制過程中熱屏產生的熱折射是定向的，不利于加熱爐腔內散熱降溫，導致拉晶速率不高。

發明內容

有鑒于此，針對上述不足，有必要提出一種提高拉晶速率的直拉單晶爐熱屏裝置

還有必要提出一種提高拉晶速率的方法。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種直拉單晶爐熱屏裝置，包括：導流筒、水冷屏，所述導流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的內側壁設置有凹坑，以提高晶棒的拉速。

優選地，所述凹坑均勻分布在所述水冷屏的內側壁上。

優選地，所述凹坑為圓形。

優選地，所述凹坑為橢圓形。

優選地，所述水冷屏為上下開口的筒狀，所述水冷屏的開口上大下小。

優選地，所述水冷屏的下端設置圓環形護套，所述圓環形護套由石墨做成，所述圓環形護套與所述水冷屏的下端連接。

優選地，所述水冷屏的外側壁兩端相對設置固定桿。

優選地，所述水冷屏為不銹鋼材質。

優選地，所述水冷屏表面涂覆有涂層。

一種提高拉晶速率的方法，利用如上所述直拉單晶爐熱屏裝置實現，具體步驟如下：

步驟一：將導流筒安裝在單晶爐的內壁上，再將水冷屏設置在導流筒的上方，且所述水冷屏的一端與單晶爐的內壁連接；

步驟二：將晶棒以1.8mm/min-2.0mm/min的拉速從單晶爐內拉出。

與現有技術相比，本發明的有益效果在于：

單晶爐加熱器位于爐體底部，布設于坩堝底部或側壁上，單晶硅拉制過程中，加熱器的溫度自加熱爐底部向上折射，本發明在所述水冷屏的內側壁設置凹坑，通過凹坑能夠增加水冷屏的熱折射方向，使得熱折射向上，減少熱折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降溫，且所述凹坑有利于增大水冷屏散熱面積，且增加了水冷屏的吸熱效率，提高加熱爐腔內散熱效率，進而使得單晶棒拉制的過程中拉速提高，進而拉制單晶棒的產率提高。

附圖說明

圖1為水冷屏的結構示意圖。

圖2為單晶爐的剖視圖。

圖中：導流筒100、水冷屏200、凹坑210、圓環形護套220、固定桿230。

具體實施方式

以下結合本發明的附圖，對本發明實施例的技術方案以及技術效果做進一步的詳細闡述。