[發明專利]直拉單晶爐熱屏裝置及提高拉晶速率的方法有效
| 申請號： | 202111639258.2 | 申請日： | 2021-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN114369866B | 公開（公告）日： | 2023-05-16 |
| 發明（設計）人： | 丁亞國;李玲玲;梁萬亮;馬國忠;顧燕濱 | 申請（專利權）人： | 寧夏申和新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 寧夏三源鑫知識產權代理事務所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孫彥虎 |
| 地址： | 750000 寧夏回*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直拉單晶爐熱屏 裝置 提高 速率 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種直拉單晶爐熱屏裝置，其特征在于，包括：導流筒、水冷屏，所述導流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的內側壁設置有凹坑，以提高晶棒的拉速；
所述凹坑均勻分布在所述水冷屏的內側壁上；
所述水冷屏為上下開口的筒狀，所述水冷屏的開口上大下??；
所述水冷屏的下端設置圓環形護套，所述圓環形護套由石墨做成，所述圓環形護套與所述水冷屏的下端連接，同時通過石墨做成的圓環形護套能夠延伸水冷屏的長度，以延伸水冷熱屏的熱折射，使得水冷屏距硅溶液的液面更加接近。
2.根據權利要求1所述的直拉單晶爐熱屏裝置，其特征在于，所述凹坑為圓形。
3.根據權利要求1所述的直拉單晶爐熱屏裝置，其特征在于，所述凹坑為橢圓形。
4.根據權利要求1所述的直拉單晶爐熱屏裝置，其特征在于，所述水冷屏的外側壁兩端相對設置固定桿。
5.根據權利要求1所述的直拉單晶爐熱屏裝置，其特征在于，所述水冷屏為不銹鋼材質。
6.根據權利要求1所述的直拉單晶爐熱屏裝置，其特征在于，所述水冷屏表面涂覆有涂層。
7.一種提高拉晶速率的方法，利用如權利要求1所述直拉單晶爐熱屏裝置實現，其特征在于，具體步驟如下：
步驟一：將導流筒安裝在單晶爐的內壁上，再將水冷屏設置在導流筒的上方，且所述水冷屏的一端與單晶爐的內壁連接；
步驟二：將晶棒以1.8mm/min-2.0mm/min的拉速從單晶爐內拉出。
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