[發明專利]一種雙面封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202111625846.0
• 申請日: 2021-12-28
• 公開（公告）號: CN116364700A
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 沈冬冬
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/3205
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 姚寶然

1.一種雙面封裝結構，其特征在于，包括：

本體，所述本體包括第一表面和第二表面，所述第二表面周部設置有凹槽；

屏蔽層，所述屏蔽層濺射于所述第一表面。

2.根據權利要求1所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述凹槽的高度為H，10μm≤H≤150μm。

3.根據權利要求2所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述凹槽的寬度為W，10μm≤W≤150μm。

4.根據權利要求1所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述凹槽的截面形狀為矩形、三角形、梯形、弧形中的一種。

5.根據權利要求1所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述第一表面包括上表面和側表面；

所述上表面的屏蔽層的厚度為D1，4μm≤D1≤10μm；

所述側表面的屏蔽層的厚度為D2，2μm≤D2≤5μm。

6.根據權利要求1-5任一項所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述本體包括襯底和連接端，所述連接端的第一端與所述襯底電性連接，所述連接端的第二端凸出于所述第二表面。

7.根據權利要求6所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述連接端包括多個焊球凸起，多個所述焊球凸起遠離所述襯底的一端形成為球形部，所述球形部凸出于所述第二表面。

8.根據權利要求7所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述本體包括底面封裝層和第一電子元件，所述第一電子元件電連接于所述襯底的底面，所述底面封裝層包覆于所述襯底的底面和所述第一電子元件，且包覆于部分所述連接端；

所述底面封裝層遠離所述襯底的一面形成為所述第二表面，所述底面封裝層的側面和所述襯底的側面形成為部分所述第一表面。

9.根據權利要求8所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述球形部與所述底面封裝層之間形成有間隙。

10.根據權利要求8所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述本體包括頂面封裝層和第二電子元件，所述第二電子元件電連接于所述襯底的頂面，所述頂面封裝層包覆于所述襯底的頂面和所述第二電子元件；

所述頂面封裝層遠離所述襯底的一面和所述頂面封裝層的側面形成為部分所述第一表面。

11.根據權利要求10所述的雙面封裝結構，其特征在于，所述襯底中設置有配線層，所述襯底的表面設置有焊盤，所述焊盤的一端與所述配線層連接，所述焊盤的另一端用于連接所述第一電子元件、所述第二電子元件或所述連接端。

12.一種雙面封裝結構的制備方法，其特征在于，用于制備權利要求1-11任一項所述的雙面封裝結，所述方法包括如下步驟：

制備封裝體，所述封裝體包括多個本體；

在所述封裝體的非濺射表面且位于相鄰兩個所述本體之間的部位制備溝槽；

沿所述封裝體的厚度方向且沿所述溝槽的中心線切割所述封裝體，以分割各個所述本體，使所述溝槽位于各個所述本體的部分形成凹槽；

對各個所述本體的非濺射表面進行掩膜；

對所述本體位于所述非濺射表面以外的表面濺射形成屏蔽層。

13.根據權利要求12所述的雙面封裝結構的制備方法，其特征在于，所述制備封裝體，具體包括：

提供襯底；

在襯底的頂面焊接第二電子元件；

在所述襯底的頂面形成頂面封裝層，使所述頂面封裝層包覆所述第二電子元件；

在所述襯底的底面焊接連接端；

在所述襯底的底面焊接第一電子元件；

在所述襯底的底面形成底面封裝層，使所述底面封裝層包覆所述第一電子元件和所述連接端；

去除遠離所述襯底一側的部分所述底面封裝層，使所述連接端部分漏出于所述底面封裝層；

在所述連接端漏出于所述底面封裝層的部位形成球形部。

14.根據權利要求13所述的雙面封裝結構的制備方法，其特征在于，所述在所述連接端漏出于所述底面封裝層的部位形成球形部，具體包括：

去除位于連接端周圍的部分所述底面封裝層的材料，使所述連接端與所述底面封裝層之間形成間隙；

在所述連接端漏出于所述底面封裝層的部位涂覆助焊劑，經過回流爐焊接形成球形部。