[發明專利]一種扇出型封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202111625212.5
• 申請日: 2021-12-27
• 公開（公告）號: CN114334851A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 胡文華
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 董越

1.一種扇出型封裝結構，其特征在于，包括：

第一芯片；

電學連接結構，所述電學連接結構包括第一焊盤、第二焊盤和引線，所述第一焊盤固定在所述第一芯片的背面，所述第二焊盤位于所述第一芯片的側部周圍，在垂直于所述第一芯片的正面的方向上，所述第二焊盤至所述第一芯片的正面的距離小于所述第一焊盤至所述第一芯片的正面的距離，所述引線的一端連接所述第一焊盤，所述引線的另一端連接所述第二焊盤；

重布線結構，所述重布線結構位于所述第一芯片背向所述第一焊盤的一側，所述第一芯片的正面與所述重布線結構電連接，所述第二焊盤和所述第一芯片位于所述重布線結構的同一側且與所述重布線結構連接；

塑封層，所述塑封層至少覆蓋所述第一焊盤和所述第一芯片側部的所述重布線結構、第二焊盤和所述引線；

電學功能結構，所述電學功能結構設置在所述第一芯片背離所述重布線結構的一側，所述電學功能結構與所述第一焊盤電連接。

2.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述電學功能結構為第二芯片。

3.根據權利要求2所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第二芯片具有第二芯片焊盤，所述第二芯片焊盤與所述第一焊盤焊接在一起。

4.根據權利要求2所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第二芯片正裝在所述第一焊盤上，所述第二芯片在所述第一芯片上的投影面積小于所述第一焊盤在所述第一芯片上的投影面積；

所述第二芯片的背面與所述第一焊盤接觸，所述第二芯片正面的所述第二芯片焊盤通過導線與所述第二芯片側部的所述第一焊盤電連接。

5.根據權利要求4所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第二芯片背離所述第一焊盤的一側通過導線連接所述第一焊盤。

6.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述電學功能結構為封裝體，所述封裝體的一側具有第一焊球，所述第一焊球與所述第一焊盤焊接在一起。

7.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述塑封層還包覆所述電學功能結構。

8.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，還包括：第二焊球，所述第二焊球位于所述重布線結構背向所述第一芯片的一側表面且與所述重布線結構連接。

9.一種扇出型封裝結構的制備方法，其特征在于，包括：

提供電學連接結構，所述電學連接結構包括第一焊盤、引線和第二焊盤，所述引線的一端連接所述第一焊盤，所述引線的另一端連接所述第二焊盤，所述第一焊盤與所述第二焊盤的高度不同；

提供第一載片；在所述第一載片上形成第一芯片，所述第一芯片的正面朝向所述第一載片；

將所述電學連接結構設置在所述第一載片上，所述第一焊盤設置在所述第一芯片的背面，所述第二焊盤設置在所述第一芯片側部的所述第一載片上；

在所述第一芯片背離所述第一載片的一側設置電學功能結構，所述電學功能結構與所述第一焊盤電連接；

設置所述電學功能結構之后，至少在所述第一芯片的側部的所述第一載片上形成覆蓋第二焊盤和所述引線的塑封層；

形成所述塑封層后，去除所述第一載片；

去除所述第一載片之后，在所述第一芯片和所述第二焊盤背離所述電學功能結構的一側形成重布線結構，所述重布線結構與所述第一芯片的正面和所述第二焊盤電連接。

10.根據權利要求9所述的扇出型封裝結構的制備方法，其特征在于，所述電學功能結構為第二芯片。

11.根據權利要求10所述的扇出型封裝結構的制備方法，其特征在于，所述第二芯片具有第二芯片焊盤，在所述第一芯片背離所述第一載片的一側設置所述電學功能結構的步驟包括：將所述第二芯片焊盤與所述第一焊盤焊接在一起。