[發(fā)明專利]半導(dǎo)體的加工方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111622877.0
• 申請(qǐng)日: 2021-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116352592A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬陽(yáng)軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞新科技術(shù)研究開(kāi)發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): B24B37/04
• 分類號(hào): B24B37/04;B24B7/22;H01L21/304
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 廖慧琪

本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體的加工方法，應(yīng)用于二氧化硅基體內(nèi)含有鎳鐵線圈的半導(dǎo)體元件，包括：將半導(dǎo)體元件放置在第一減薄盤上進(jìn)行第一次減薄研磨，得到一次減薄后的半導(dǎo)體元件；將一次減薄后的半導(dǎo)體元件放置在第二減薄盤上進(jìn)行第二次減薄研磨，得到二次減薄后的半導(dǎo)體元件；其中，第二減薄盤上的金剛石顆粒小于第一減薄盤上的金剛石顆粒，第二減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度小于第一減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度；將二次減薄后的半導(dǎo)體元件放置在第三減薄盤上進(jìn)行拋光研磨，得到減薄拋光后的半導(dǎo)體元件；其中，第三減薄盤上的金剛石顆粒小于第二減薄盤上的金剛石顆粒，第三減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度小于第二減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度。采用本發(fā)明實(shí)施例能夠滿足精磨拋光的技術(shù)要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體的加工方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體元件在精磨拋光時(shí)通常是采用一次研磨的方式，以去除晶圓表面的機(jī)械物理的劃痕，精磨拋光的技術(shù)要求是：基體表面需高于鎳鐵表面0.25-0.3um。但由于半導(dǎo)體表面材料有所不同，其基體的主要成分是二氧化硅，其材質(zhì)較硬，基體內(nèi)含有鎳鐵成分的感應(yīng)線圈，其材質(zhì)較軟，如果精磨過(guò)程中采用的金剛石顆粒大，那么會(huì)造成鎳鐵表面的劃痕，同時(shí)也會(huì)造成鎳鐵材料高于二氧化硅基體，如果精磨過(guò)程中采用的金剛石顆粒小，則將會(huì)使鎳鐵材料研磨過(guò)度，最后平面會(huì)低于二氧化硅基體過(guò)多，因此現(xiàn)有的加工方法無(wú)法滿足精磨拋光的技術(shù)要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體的加工方法，能夠通過(guò)兩次減薄研磨、一次拋光研磨的方式對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行加工，以滿足精磨拋光的技術(shù)要求。

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體的加工方法，應(yīng)用于二氧化硅基體內(nèi)含有鎳鐵線圈的半導(dǎo)體元件，包括：

將半導(dǎo)體元件放置在第一減薄盤上進(jìn)行第一次減薄研磨，得到一次減薄后的半導(dǎo)體元件；

將所述一次減薄后的半導(dǎo)體元件放置在第二減薄盤上進(jìn)行第二次減薄研磨，得到二次減薄后的半導(dǎo)體元件；其中，所述第二減薄盤上的金剛石顆粒小于所述第一減薄盤上的金剛石顆粒，所述第二減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度小于所述第一減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度；

將所述二次減薄后的半導(dǎo)體元件放置在第三減薄盤上進(jìn)行拋光研磨，得到減薄拋光后的半導(dǎo)體元件；其中，所述第三減薄盤上的金剛石顆粒小于所述第二減薄盤上的金剛石顆粒，所述第三減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度小于所述第二減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第一減薄盤上的金剛石顆粒為450-550um。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第二減薄盤上的金剛石顆粒為200-300nm。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第三減薄盤上的金剛石顆粒為40-60nm。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第一減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度為45-55rpm。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第二減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度為25-35rpm。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第三減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度為10-20rpm。

作為上述方案的改進(jìn)，在所述第一次減薄研磨的步驟中，所述二氧化硅基體的減薄量為25-35um；在所述第二次減薄研磨的步驟中，所述二氧化硅基體的減薄量為10-15um；在所述拋光研磨的步驟中，所述二氧化硅基體的減薄量為4-6nm。

作為上述方案的改進(jìn)，所述第一減薄盤、所述第二減薄盤和所述第三減薄盤的材料為錫盤。

作為上述方案的改進(jìn)，在所述第一次減薄研磨、所述第二次減薄研磨和所述拋光研磨的步驟中，所采用的研磨液的主要成分為銨氫氧化物，pH值為10。

實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有如下有益效果：