[發(fā)明專利]半導(dǎo)體的加工方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111622877.0 | 申請日： | 2021-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN116352592A | 公開（公告）日： | 2023-06-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬陽軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/04 | 分類號： | B24B37/04;B24B7/22;H01L21/304 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 廖慧琪 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 加工 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，應(yīng)用于二氧化硅基體內(nèi)含有鎳鐵線圈的半導(dǎo)體元件，包括：
將半導(dǎo)體元件放置在第一減薄盤上進行第一次減薄研磨，得到一次減薄后的半導(dǎo)體元件；
將所述一次減薄后的半導(dǎo)體元件放置在第二減薄盤上進行第二次減薄研磨，得到二次減薄后的半導(dǎo)體元件；其中，所述第二減薄盤上的金剛石顆粒小于所述第一減薄盤上的金剛石顆粒，所述第二減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度小于所述第一減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度；
將所述二次減薄后的半導(dǎo)體元件放置在第三減薄盤上進行拋光研磨，得到減薄拋光后的半導(dǎo)體元件；其中，所述第三減薄盤上的金剛石顆粒小于所述第二減薄盤上的金剛石顆粒，所述第三減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度小于所述第二減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，所述第一減薄盤上的金剛石顆粒為450-550um。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，所述第二減薄盤上的金剛石顆粒為200-300nm。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，所述第三減薄盤上的金剛石顆粒為40-60nm。
5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，所述第一減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度為45-55rpm。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，所述第二減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度為25-35rpm。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，所述第三減薄盤的旋轉(zhuǎn)速度為10-20rpm。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，在所述第一次減薄研磨的步驟中，所述二氧化硅基體的減薄量為25-35um；在所述第二次減薄研磨的步驟中，所述二氧化硅基體的減薄量為10-15um；在所述拋光研磨的步驟中，所述二氧化硅基體的減薄量為4-6nm。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，所述第一減薄盤、所述第二減薄盤和所述第三減薄盤的材料為錫盤。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的加工方法，其特征在于，在所述第一次減薄研磨、所述第二次減薄研磨和所述拋光研磨的步驟中，所采用的研磨液的主要成分為銨氫氧化物，pH值為10。
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