[發明專利]一種系統封裝模塊半孔披鋒加工改善方法、封裝板及應用在審
| 申請號: | 202111621380.7 | 申請日: | 2021-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN114269080A | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發明(設計)人: | 李清春;楊鵬飛;胡玉春;盧賽輝 | 申請(專利權)人: | 珠海中京電子電路有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/06 | 分類號: | H05K3/06;H05K3/42;H05K3/00;H05K3/28;C25D5/02;C25D3/32;C25D5/48 |
| 代理公司: | 廣東普潤知識產權代理有限公司 44804 | 代理人: | 彭海民 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 系統 封裝 模塊 半孔披鋒 加工 改善 方法 應用 | ||
本發明屬于SIP模塊板半孔鍍錫處理技術領域,公開了一種系統封裝模塊半孔披鋒加工改善方法、封裝板及應用。在線寬線距3/mil以內的精細線路半孔模塊板調整流程,使得半孔孔壁和孔環用鍍錫保護,其他位置采用干膜保護,然后經堿性蝕刻,從根源上解決半孔孔壁披鋒問題,避免半孔披鋒人工修理成本,以及修理不良造成孔銅剝離或不良板流失到客戶端造成更高報廢。本發明有效解決了5G系統封裝模塊板的半孔孔壁披鋒問題,主要為外層含精細線路的半孔HDI產品。本發明在堿性蝕刻時,半孔孔壁和孔環有錫保護,板面其他位置有干膜保護,所以堿性蝕刻可有效去除披鋒,且不對其他位置造成不良過程影響。
技術領域
本發明屬于SIP模塊板半孔鍍錫處理技術領域,公開了一種系統封裝模塊半孔披鋒加工改善方法、5G系統封裝板、信息處理終端及應用。
背景技術
目前,根據外層線路等級設計,主流技術按照3種流程制作:
(1)外層線寬線距≥3/3mil,采用正片鍍錫保護半孔,撈半孔后堿性蝕刻;制作流程:前工序(開料到最后一次壓合的所有流程)、鉆孔(含盲孔設計的要先鐳射再鉆孔)、電鍍(有盲孔的要填孔)、外層圖形、圖電、撈半孔、外層線路(堿性蝕刻,半孔披鋒在該工序去除)、防焊、文字、表面處理、后工序。
(2)外層線寬線距<3/3mil,超出正片流程的制程能力要求,只能采用負片制作,此流程半孔未進行蝕刻,所以在撈半孔流程造成的孔壁毛刺和披鋒會殘留下來,造成焊錫短路等不良問題;制作流程:前工序(開料到最后一次壓合的所有流程)、鉆孔(含盲孔設計的要先鐳射再鉆孔)、電鍍(有盲孔的要填孔)、外層線路、防焊、文字、撈半孔(半孔披鋒殘留嚴重,需要雙刃撈刀加工,有一定改善)、表面處理、后工序。
(3)此方法是對方法2的改良,在撈半孔前采用選化油墨塞孔和表面覆蓋,成型撈完半孔再過蝕刻線,快速蝕刻去除孔壁毛刺和披鋒;制作流程:前工序(開料到最后一次壓合的所有流程)、鉆孔(含盲孔設計的要先鐳射再鉆孔)、電鍍(有盲孔的要填孔)、外層線路、防焊、印刷選鍍油、撈半孔、酸性蝕刻(可去除披鋒,但部分孔壁選化油墨未能100%覆蓋,蝕刻會有點狀孔破)、文字、表面處理、后工序。
通過上述分析,現有技術存在的問題及缺陷為:(1)方法1只能針對傳統低端半孔模塊板,主要是2-4GSIP應用,I/O數量較少,線寬線距3/3mil以上;(2)方法2無法在根源上去除半孔孔壁披鋒;(3)方法3無法解決半孔孔壁點狀孔破問題。
解決以上問題及缺陷的難度為:精細線路的SIP模塊板,為滿足線路制程能力,必須采用負片流程,但負片流程的缺點是,半孔孔壁披鋒采用成型方式撈,由于孔壁電鍍銅具有很好的延展性和柔軟特性,在成型撈半孔過程中會有細小的孔壁銅皮不能有效去除,稱為披鋒,一旦披鋒長度較長,會在焊錫過程造成半孔之間網絡短路。目前采用選化油墨塞孔和表面覆蓋,成型撈半孔后再過蝕刻線,快速蝕刻去除孔壁毛刺和披鋒,但部分孔壁選化油墨未100%覆蓋,蝕刻會有點狀孔破。
解決以上問題及缺陷的意義為:本發明創新性借鑒半孔板正片流程的精髓,使得精細線路優先采用負片流程蝕刻出來,同時完成防焊和文字,線路制程不再受正片制程能力的限制,然后再結合正片制程,通過圖電鍍錫、撈半孔、堿性蝕刻流程解決半孔披鋒問題。
5GSIP模塊板內外層均為2到2.5mil線寬線距,超出堿性蝕刻方式的線路能力。無法采用方法1的流程制作,本發明借鑒方法1的思路,在防焊完成以后只在半孔孔內和孔環上鍍錫5-10um,作為半孔蝕刻保護劑,半孔以外的其他位置采用干膜作蝕刻保護。制作流程和PCB板邊需要做一些調整,使得線路蝕刻后半孔孔壁和孔環能導電,并在圖電鍍錫缸里完成5-10um鍍錫制程。然后成型進行撈半孔作業,最后再堿性蝕刻,半孔孔壁和孔環有錫保護,板面其他位置有干膜保護,所以堿性蝕刻可有效去除披鋒,且不對其他位置造成不良過程影響。
發明內容
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