[發(fā)明專利]一種系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法、封裝板及應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111621380.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114269080A | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李清春;楊鵬飛;胡玉春;盧賽輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 珠海中京電子電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K3/06 | 分類號(hào): | H05K3/06;H05K3/42;H05K3/00;H05K3/28;C25D5/02;C25D3/32;C25D5/48 |
| 代理公司: | 廣東普潤(rùn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44804 | 代理人: | 彭海民 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 系統(tǒng) 封裝 模塊 半孔披鋒 加工 改善 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法,其特征在于,所述系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法借鑒半孔板正片流程,使精細(xì)線路優(yōu)先采用負(fù)片流程蝕刻出來,同時(shí)完成防焊和文字,然后再結(jié)合正片制程中的圖電鍍錫、撈半孔、堿性蝕刻流程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法,其特征在于,所述系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法具體包括以下步驟:在系統(tǒng)封裝模塊板內(nèi)外層精細(xì)線路、以及防焊完成后只在半孔孔內(nèi)和孔環(huán)上鍍錫,作為半孔蝕刻保護(hù)劑,半孔以外的位置采用干膜作蝕刻保護(hù),并進(jìn)行PCB板邊的調(diào)整,使得線路蝕刻后半孔孔壁和孔環(huán)能與板邊電性導(dǎo)通;
并在圖電鍍錫缸里通過這種電性導(dǎo)通,進(jìn)行半孔孔壁和孔環(huán)鍍錫制程;
然后再通過成型撈半孔、搭配堿性蝕刻去除半孔披鋒。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法,其特征在于,所述系統(tǒng)封裝模塊板內(nèi)外層精細(xì)線路線寬線距小于3/mil。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法,其特征在于,在半孔孔內(nèi)和孔環(huán)上鍍錫5-10um。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法,其特征在于,所述PCB板邊的調(diào)整包括:
在外層線路流程保留板邊的大銅皮;且成型路徑上的銅皮、PCS之間的銅皮、板邊大銅皮和半孔孔環(huán)均導(dǎo)通相連,使得圖電時(shí)能導(dǎo)通鍍錫;
所述在外層線路流程保留板邊的大銅皮時(shí)文字后的干膜覆蓋區(qū)域僅將半孔孔環(huán)開窗露出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法,其特征在于,所述系統(tǒng)封裝模塊半孔披鋒加工改善方法具體包括以下步驟:鉆孔;電鍍;外層線路,50um線寬線距的精細(xì)線路外層板邊進(jìn)行處理,使半孔孔壁和孔環(huán)能與板邊電性導(dǎo)通;防焊;文字;干膜;圖電鍍錫;撈半孔;堿性蝕刻,去除半孔披鋒;去膜,去除圖電干膜;退錫;表面處理。
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