[發明專利]用于供應液體的設備及方法在審
| 申請號: | 202111612794.3 | 申請日: | 2021-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN114695189A | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 河道炅;梁承太 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 鐘錦舜;張玫 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 供應 液體 設備 方法 | ||
本發明構思提供了一種液體供應單元。液體供應單元包括:罐,具有用于儲存液體的內部空間;入口管線,用于將液體從液體供應源供應到內部空間且入口管線上安裝有入口閥;出口管線,用于將液體從罐供應到噴嘴或將液體回收到罐且出口管線上安裝有出口閥;氣體供應管線,用于向內部空間供應氣體且氣體供應管線上安裝有氣體控制閥;排氣管線,用于從內部空間排氣且排氣管線上安裝有排氣閥;循環管線,用于使儲存在內部空間中的液體循環;以及控制器,其中控制器構造為控制液體供應單元,使得在向內部空間供應液體的同時對循環管線進行加壓。
技術領域
本文描述的發明構思的實施例涉及一種用于給待處理物體供應液體的液體供應單元以及使用該液體供應單元供應液體的方法。
背景技術
殘留在基板表面的污染物,諸如:微粒、有機污染物及金屬污染物,對于半導體裝置的性能及產量有很大的影響。因此,在半導體制造過程中,去除附著于基板表面上各種污染物的清潔過程便十分重要,并且在制造半導體的每一單元過程前后,都要進行基板的清潔過程。
在通常情況下,基板清潔過程包含:使用化學品去除殘留在基板上的金屬污染物、有機污染物以及微粒的化學處理過程、使用純水去除殘留在基板上的化學品的清洗過程以及使用氮氣或是超臨界流體干燥基板的干燥過程。
在化學處理過程中,液體供應單元將液體提供給噴嘴單元。一般情況下,液體供應單元包含用于儲存液體的罐、用于將液體從罐的內部空間提供至噴嘴單元的供應管線、用于在處理基板后將液體回收至罐的內部空間的回收管線等。為了防止停止供應液體,設置有兩個或多個罐,在每個罐中所儲存的液體能通過與每一個罐連接的排水管排出。
例如,液體供應單元在預定溫度下供給液體至噴嘴單元。每條管線均配置有加熱器,以根據每個過程提供高溫液體。通常,溫度傳感器設置于加熱器的排放端。基于由溫度傳感器所測得的液體溫度,液體會被加熱至預定溫度。然而,由于加熱器在不考慮與液體接觸表面的溫度下加熱液體,因此液體的接觸表面被加熱以致產生氣泡。這種氣泡在處理基板的后續過程中會有形成顆粒的問題。
發明內容
本發明構思的實施例提供一種用以防止液體在液體供應單元內沸騰的液體供應單元及液體供給方法。
本發明構思的實施例還提供一種用于最小化顆粒生成的液體供應單元及液體供給方法。
本發明構思的技術目標并不局限于上述目標,并且其他未被提及的技術目標對于本領域的技術人員來說,能從以下描述中變得顯而易見。
本發明構思提供一種液體供應單元。該液體供應單元包括罐,該罐具有用于儲存液體的內部空間;入口管線,該入口管線用于將液體從液體供應源供應到該內部空間且入口管線上安裝有入口閥;出口管線,所述出口管線用于將液體從該罐供應至噴嘴或將液體回收至該罐,且出口管線上安裝有出口閥;氣體供應管線,該氣體供應管線用于供應氣體到所述內部空間且氣體供應管線上安裝有氣體控制閥;排氣管線,所述排氣管線用于從該內部空間排氣且排氣管線上安裝有排氣閥;循環管線,所述循環管線用于使儲存于該內部空間中的液體循環;以及控制器,其中所述控制器構造為控制該液體供應單元,使得當液體被供應至該內部空間時,該循環管線被加壓。
在實施例中,該控制器進一步構造為控制該氣體控制閥與該排氣閥,使得當液體被供應至該內部空間時,該內部空間被加壓。
在實施例中,該控制器構造為控制該氣體控制閥與該排氣閥,使得當液體供應至該內部空間時,氣體被供應到該內部空間但該排氣閥是關閉的。
在實施例中,該循環管線包括:第一泵;第一加熱器,該第一加熱器用于加熱該循環管線內的液體;以及壓力提供構件,該壓力提供構件設置于該第一加熱器的下游,其中液體通過該壓力提供構件所需的壓力被設置為高于液體通過該第一加熱器所需的壓力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





