[發明專利]陣列基板、陣列基板制備方法及顯示面板在審
| 申請號: | 202111608717.0 | 申請日: | 2021-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN114361217A | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發明(設計)人: | 孫丹丹;張振宇;張民;王麗娟 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制備 方法 顯示 面板 | ||
本發明公開了一種陣列基板、陣列基板制備方法及顯示面板,陣列基板包括:襯底;薄膜晶體管,設置在襯底一側;信號線,連接至薄膜晶體管的源極或漏極;平坦化層,設于薄膜晶體管背離襯底一側,平坦化層包括若干平坦化部,平坦化部具有與信號線位置相對應的側表面,信號線包括設置于側表面上的主體部。信號線利用平坦化部的側表面進行走線,以使主體部相對于襯底所在平面傾斜或者垂直設置,有效減小了信號線襯底上的正投影面積即遮光面積,本發明實施例所提供的陣列基板在保證走線寬度足夠、低電阻的同時,還能有效減少信號線的遮光面積,進而提高了陣列基板的透光率。
技術領域
本發明屬于電子產品技術領域,尤其涉及一種陣列基板、陣列基板制備方法及顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的發展,人們對使用的電子產品不僅要求流暢的使用體驗,而且對視覺體驗的要求也越來越高,高屏占比成為目前研究的方向。對于電子產品來說,前置攝像頭等光學器件的設置必然會占據一定的空間,從而影響屏占比。而為了提升屏占比,實現全面屏,研究人員考慮屏下光學器件的實現方案。
因此,亟需一種新的陣列基板、陣列基板制備方法及顯示面板。
發明內容
本發明實施例提供了一種陣列基板、陣列基板制備方法及顯示面板,本發明實施例所提供的陣列基板在保證走線寬度足夠、低電阻的同時,還能有效減少信號線的遮光面積,進而提高了陣列基板的透光率。
本發明實施例一方面提供了一種陣列基板,包括:襯底;薄膜晶體管,設置在所述襯底一側;信號線,連接至所述薄膜晶體管的源極或漏極;平坦化層,設于所述薄膜晶體管背離所述襯底一側,所述平坦化層包括若干平坦化部,所述平坦化部具有與所述信號線位置相對應的側表面,所述信號線包括設置于所述側表面上的主體部。
根據本發明的一個方面,所述信號線還包括連接部,所述連接部與主體部一體設置,所述連接部與所述薄膜晶體管的源極或漏極相連接;所述平坦化層還具有與所述襯底相平行的連接面,所述連接部設置于所述連接面;或,相鄰所述平坦化部間隔設置,所述陣列基板還包括設置在所述平坦化層朝向襯底一側的層間絕緣層,所述層間絕緣層具有與所述襯底相平行的連接面,所述連接部設置于所述連接面。
根據本發明的一個方面,所所述陣列基板還包括位于所述平坦化層背離所述襯底一側的透明掩膜層,所述透明掩膜層具有對應所述平坦化部設置的掩蓋部,所述掩蓋部延伸超出相應的平坦化部。
根據本發明的一個方面,所所述主體部不超出所述掩蓋部,所述信號線還包括設置在所述掩蓋部朝向襯底一側且與所述主體部相連接的延伸部。
根據本發明的一個方面,所述側表面和所述襯底所在平面相互垂直。
根據本發明的一個方面,所述側表面和所述襯底所在平面之間的夾角為45°至75°。
本發明實施例另一方面提供了一種陣列基板制備方法,包括以下步驟:提供襯底;在所述襯底一側制備薄膜晶體管;在所述薄膜晶體管背離所述襯底一側制備平坦化層,所述平坦化層形成有若干平坦化部,所述平坦化部具有側表面;制備信號線,所述信號線連接至所述薄膜晶體管的源極或漏極,所述信號線包括形成于所述側表面上的主體部。
根據本發明的另一個方面,在所述制備信號線的步驟中,包括:在所述平坦化層背離所述襯底一側形成透明掩膜層;對所述透明掩膜層進行刻蝕,形成若干掩蓋部,所述掩蓋部覆設于所述平坦化部且超出相應的平坦化部,以使得所述掩蓋部下方形成有開槽;沉積走線材料層;刻蝕去除所述開槽范圍外的走線材料層,形成所述信號線。
本發明實施例又一方面提供了一種顯示面板,包括:上述任一實施例所述的陣列基板。
根據本發明的又一個方面,具有第一顯示區和至少部分圍繞所述第一顯示區設置的第二顯示區,所述第一顯示區的透光率大于所述第二顯示區的透光率;所述信號線延伸經過所述第一顯示區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





