[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202111597670.2
• 申請日: 2021-12-24
• 公開（公告）號: CN116364705A
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 朱富成;李長祺
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/538
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

基板；

第一芯片和第二芯片，橫向并排間隔地設置在所述基板上方；

電源整合器，跨接于所述第一芯片和所述第二芯片上方，并且電連接至所述第一芯片和所述第二芯片；

供電線，位于所述電源整合器下方，其中，所述供電線從所述基板的上表面延伸至所述電源整合器的下表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述供電線包括與所述電源整合器連接的上部分和連接在所述上部分下方的下部分，所述供電線的所述下部分的寬度大于所述上部分的寬度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述供電線的所述下部分的頂端低于所述第一芯片和所述第二芯片的上表面。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述供電線在所述第一芯片和所述第二芯片之間。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，

所述供電線到所述第一芯片和到所述第二芯片的距離相同。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，

所述電源整合器的下表面處還設置有多個電壓傳輸件，所述多個電壓傳輸件位于所述第一芯片、所述第二芯片和所述供電線的同一側。

7.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，

所述供電線鄰近所述電源整合器的邊緣設置，并且所述多個電壓傳輸件位于所述供電線的同一側。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

第一調諧電路和第二調諧電路，分別設置在所述第一芯片與所述電源整合器以及所述第二芯片與所述電源整合器的重疊處。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一調諧電路或所述第二調諧電路包括堆疊設置的第一電容器和第一電感器。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一調諧電路或所述第二調諧電路還包括堆疊設置的第二電容器和第二電感器，其中，所述第三電容器和所述第四電感器堆疊在所述第一電容器和所述第一電感器上方。

11.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

訊號傳輸件，所述訊號傳輸件的一端連接至所述第一芯片或者所述第二芯片，所述訊號傳輸件的另一端連接至所述電源整合器。