[發明專利]一種水下等離子體治理水體污染的裝置與方法有效
| 申請號: | 202111594486.2 | 申請日: | 2021-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN114180659B | 公開(公告)日: | 2023-10-13 |
| 發明(設計)人: | 唐曉;孫昕;柴多生;馬伊華 | 申請(專利權)人: | 西安金山銀山科技有限公司 |
| 主分類號: | C02F1/00 | 分類號: | C02F1/00;C02F1/30;C02F1/46;C02F1/461;C25B1/04 |
| 代理公司: | 北京卓勝佰達知識產權代理有限公司 16026 | 代理人: | 張串串 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市高新區科*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 水下 等離子體 治理 水體 污染 裝置 方法 | ||
1.一種水下等離子體治理水體污染的裝置,包括殼體(5),其特征在于:所述殼體(5)的內壁固定連接有隔板(19),所述隔板(19)的上方為氣室(20),所述氣室(20)的內部設置有負極板(21),所述隔板(19)的下方為發生腔室(18),所述發生腔室(18)的內部設置有正極板(12);
所述發生腔室(18)的內部設置有筒體(10),所述筒體(10)的外側轉動設置有離心葉輪(9),所述離心葉輪(9)的外側套接有氣泡石(8),所述筒體(10)的上頂壁固定連接有離心風扇(16),所述離心風扇(16)的下方設置有發生器(15),所述離心風扇(16)的側壁固定連接有若干第二管(11),所述第二管(11)的另一端延伸至氣泡石(8)的內部,所述筒體(10)的內壁上部固定連接有第三管(14),所述第三管(14)的另一端向下延伸,并靠近筒體(10)的底部。
2.根據權利要求1所述的一種水下等離子體治理水體污染的裝置,其特征在于:所述發生器(15)包括固定板(1503),所述固定板(1503)的邊緣固定與筒體(10)的內壁固定連接,所述固定板(1503)的下端中部固定連接有第二電極柱(1502),圍繞所述第二電極柱(1502)設置有第一電極柱(1501),所述第一電極柱(1501)固定于固定板(1503)上。
3.根據權利要求1所述的一種水下等離子體治理水體污染的裝置,其特征在于:所述正極板(12)的中部固定連接有超聲波霧化器(13),所述正極板(12)位于筒體(10)的下方。
4.根據權利要求1所述的一種水下等離子體治理水體污染的裝置,其特征在于:所述殼體(5)的下端固定連接有驅動電機(1),所述驅動電機(1)的上端延伸設置有電機軸,且電機軸固定連接有連軸件(17),所述連軸件(17)的另一端和離心葉輪(9)固定連接。
5.根據權利要求1所述的一種水下等離子體治理水體污染的裝置,其特征在于:所述隔板(19)上固定連接有氣閥(22),所述氣閥(22)連通氣室(20)和發生腔室(18)。
6.根據權利要求1-6任意一項所述的一種水下等離子體治理水體污染的裝置,其特征在于:所述殼體(5)的下部側壁設置有第一孔(2),所述第一孔(2)位于連軸件(17)處,所述殼體(5)的下部側壁色合作有第二孔(3),所述第二孔(3)位于離心葉輪(9)處。
7.根據權利要求6所述的一種水下等離子體治理水體污染的裝置,其特征在于:所述殼體(5)的下部側壁設置有第三孔(4),所述第三孔(4)位于氣室(20)的下部。
8.根據權利要求1所述的一種水下等離子體治理水體污染的裝置,其特征在于:所述殼體(5)的上端固定連接有線纜(6),所述線纜(6)上纏繞設置有第一管(7),所述第一管(7)和氣室(20)連通。
9.一種水下等離子體治理水體污染的方法,其特征在于,包括以下內容:
將裝置豎直置于水體中,正極板(12)和負極板(21)通電,正極板(12)電解生產氧氣,充滿筒體(10),同時負極板(21)電極產生氫氣,充滿氣室(20)中,當發生器(15)從水中脫離,且正極板(12)處于水中,發生器(15)工作,第一電極柱(1501)和第二電極柱(1502)之間放電,實現氧氣的電離,同時超聲波霧化器(13)工作,產生霧氣,霧氣上升至發生器(15)處,不僅水分子被電離,同時產生的等離子體溶解入霧氣中,啟動離心風扇(16),將霧氣抽離并通過第二管(11)進入至氣泡石(8)中,氣體逸散的同時,等離子體充分融入水中,而未電離的氣體通過第三管(14)進入筒體(10)內部,以及啟動驅動電機(1),通過連軸件(17)驅動離心葉輪(9)轉動,實現溶解有等離子體的水從發生腔室(18)送出;
進行裝置的深度調節時,可增加或者減少氣室(20)中的氣體量,控制電解產生的氣體量,氣室(20)的氣體增多,裝置上浮,通過第一管(7)抽離氣室(20)中的氣體,裝置下沉,同時發生腔室(18)的氣體過多,則打開氣閥(22),氣體進入氣室(20)中。
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