[發明專利]一種主副梁結構的硅片承載裝置

在審

• 申請號: 202111594364.3
• 申請日: 2021-12-24
• 公開（公告）號: CN114318277A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 高晗;吳明貴;劉小明;張清清;龔漢亮
• 申請（專利權）人: 南通玖方新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 南通市永通專利事務所(普通合伙) 32100
• 代理人: 葛雷

本發明公開了一種主副梁結構的硅片承載裝置，包括豎梁、橫梁組成的外框，橫梁包括位于外框兩側的邊橫梁、位于外框中間部位的中間橫梁；豎梁包括豎梁導軌條及與豎梁導軌條固定連接的豎梁卡槽，豎梁卡槽通過法蘭與橫梁連接；所述邊橫梁由主橫梁和副橫梁組成；拉筋通過副橫梁上面的加工孔、中間橫梁上面的加工孔由螺母固定在副橫梁上；托盤卡裝在豎梁、邊橫梁及中間橫梁上。本發明提高了硅片承載裝置的平面度，改善了鍍膜效果。

技術領域

本發明涉及一種硅片承載裝置。

背景技術

異質結電池以n型單晶硅片為襯底，經過制絨清洗后在正面通過PECVD方法沉積厚度為3-5nm的本征非晶硅薄膜i-a-Si和p型非晶硅薄膜p-a-Si，從而形成pn異質結。在背面通過PECVD方法沉積本征非晶硅薄膜i-a-Si和n型非晶硅薄膜n-a-Si，從而形成背表面場。在摻雜非晶硅薄膜的兩側通過濺射的方式沉積透明導電氧化物薄膜，最后通過絲網印刷技術在透明導電薄膜表面形成金屬電極。本發明是在硅片鍍透明導電薄膜時的一種承載裝置，鍍透明導電薄膜對承載裝置的形位公差要求較高，為此設計一種主副梁結構的承載裝置。

發明內容

本發明的目的在于提供一種提高硅片承載裝置的平面度，改善鍍膜效果的主副梁結構的硅片承載裝置。

本發明的技術解決方案是：

一種主副梁結構的硅片承載裝置，其特征是：包括豎梁、橫梁組成的外框，橫梁包括位于外框兩側的邊橫梁、位于外框中間部位的中間橫梁；豎梁包括豎梁導軌條及與豎梁導軌條固定連接的豎梁卡槽，豎梁卡槽通過法蘭與橫梁連接；所述邊橫梁由主橫梁和副橫梁組成；拉筋通過副橫梁上面的加工孔、中間橫梁上面的加工孔由螺母固定在副橫梁上；

主橫梁內部設有階梯面，副橫梁和主橫梁上的階梯面配合，且和階梯面下面留出一定的空隙，可以通過外力調節副梁的直線度；

邊橫梁為空心圓柱面，主橫梁和副橫梁配合面留有空隙，為副梁的變形預留一定的空間；

托盤卡裝在豎梁、邊橫梁及中間橫梁上。

豎梁上面的安裝法蘭位置加工有帶內螺紋的小圓柱及和橫梁端面的接觸面，小圓柱和螺絲配合，通過法蘭將豎梁和橫梁固定在一塊。

本發明提高了硅片承載裝置的平面度，改善了鍍膜效果。采用主副梁結構，副梁承擔了拉筋的拉力，使主梁變形程度減小；階梯面凹進去的部分可以通過外力調節副梁的直線度；主橫梁中間凹進去的部分，可以為副梁形變留有一定的空間。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。

圖1本發明一個實施例的結構示意圖。

圖2拉筋的結構示意圖。

圖3中間橫梁的結構示意圖。

圖4豎梁的結構示意圖。

圖5是邊橫梁的結構示意圖。

圖6是圖5的D-D剖面圖。

圖7是圖6的局部放大圖。

圖8是圖5的F-F剖面圖。

圖9是豎梁與橫梁連接結構示意圖。

具體實施方式

一種主副梁結構的硅片承載裝置，包括豎梁、橫梁組成的外框，橫梁包括位于外框兩側的邊橫梁、位于外框中間部位的中間橫梁；豎梁包括豎梁導軌條及與豎梁導軌條固定連接的豎梁卡槽，豎梁卡槽通過法蘭與橫梁連接；所述邊橫梁由主橫梁和副橫梁組成；拉筋通過副橫梁上面的加工孔、中間橫梁上面的加工孔由螺母固定在副橫梁上；

主橫梁內部設有階梯面，副橫梁和主橫梁上的階梯面配合，且和階梯面下面留出一定的空隙，可以通過外力調節副梁的直線度；

邊橫梁為空心圓柱面，主橫梁和副橫梁配合面留有空隙，為副梁的變形預留一定的空間；