[發明專利]一種倒裝發光二極管芯片電極及制備方法

在審

• 申請號: 202111593797.7
• 申請日: 2021-12-23
• 公開（公告）號: CN114388667A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 李文濤;楊起;簡弘安;張星星;胡加輝;金從龍;顧偉
• 申請（專利權）人: 江西兆馳半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;C23C14/18;C23C14/24;H01L33/38;H01L33/40
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 熊明

1.一種倒裝發光二極管芯片電極，其特征在于，芯片電極設置在外延層上，且所述芯片電極的兩側面與所述外延層所在平面的夾角為20-65°。

2.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片電極，其特征在于，所述芯片電極包括多層疊層結構，且多層疊層結構中每一上層對相鄰下層進行完全包覆。

3.根據權利要求2所述的倒裝發光二極管芯片電極，其特征在于，芯片電極包括平臺電極和兩側的側翼電極，且所述側翼電極的厚度為所述平臺電極的厚度的50％-100％。

4.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片電極，其特征在于，外延層上設置有氧化銦錫層，所述芯片電極蒸鍍在所述氧化銦錫層上。

5.根據權利要求2所述的倒裝發光二極管芯片電極，其特征在于，所述芯片電極包括自下而上依次設置的歐姆接觸層、電極反射層、第一保護疊層、第二保護疊層、電流傳輸層、防刻穿層和DBR粘附層，所述歐姆接觸層的厚度為所述電極反射層厚度為所述第一保護疊層為兩層疊層結構，兩層厚度均為第二保護疊層為兩層疊層結構，兩層厚度均為電流傳輸層厚度為防刻穿層厚度為DBR粘附層厚度為

6.一種倒裝發光二極管芯片電極的制備方法，其特征在于，包括提供一外延層；

在外延層上沉積氧化銦錫層，并在氧化銦錫層表面設置光刻膠層；

在光刻膠層上顯影出電極空位，且電極空位底部與氧化銦錫層連通，所述電極空位沿著靠近氧化銦錫層一側橫截面面積逐漸增大；

在電極空位上蒸鍍芯片電極，芯片電極的兩側面與氧化銦錫層平面的夾角為20-65°。

7.根據權利要求6所述的倒裝發光二極管芯片電極的制備方法，其特征在于，在顯影電極空位步驟中包括

對光刻膠進行熱盤烘烤并曝光；

再對光刻膠進行顯影前烘烤并在光刻膠上顯影出電極空位，烘烤溫度為105-118℃，烘烤時間為90-110s。

8.根據權利要求6所述的倒裝發光二極管芯片電極的制備方法，其特征在于，所述電極空位包括沉積底部和蒸鍍頸部，所述沉積底部的橫截面面積大于所述蒸鍍頸部的橫截面面積，且所述沉積底部的厚度大于所述芯片電極的高度。

9.根據權利要求8所述的倒裝發光二極管芯片電極的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍頸部的厚度為1-2μm。

10.根據權利要求8所述的倒裝發光二極管芯片電極的制備方法，其特征在于，所述沉積底部的最大寬度和所述蒸鍍頸部的最小寬度的單邊差值為5-12μm。