[發明專利]一種功能器件陣列及其制作裝置和制作方法在審
| 申請號: | 202111593568.5 | 申請日: | 2021-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN114284178A | 公開(公告)日: | 2022-04-05 |
| 發明(設計)人: | 吳雙;柯志杰;談江喬;艾國齊;柯毅東 | 申請(專利權)人: | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 林哲生 |
| 地址: | 361100 福建省廈門市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功能 器件 陣列 及其 制作 裝置 制作方法 | ||
本發明提供了一種功能器件陣列及其制作裝置和制作方法,包括:產生系統,所述產生系統用于將生成的聲表面駐波作用于功能材料溶液,以使所述功能材料溶液的表面形成液體尖峰陣列;定位系統,所述定位系統用于將目標基板移動至所述功能材料溶液的液體尖峰處,且將所述目標基板的功能區表面陣列與功能材料溶液的液體尖峰陣列對位設置,其中,所述功能材料溶液的液體尖峰與所述目標基板的功能區表面接觸,而在所述目標基板的功能區表面處形成功能材料液滴,且所述功能材料液滴揮發后形成所述功能器件。本發明提出了一種新型的制作工藝及裝置。無需將功能材料溶液通過噴嘴噴涂,不僅避免了資源的浪費,還實現了高密度功能器件陣列的制備。
技術領域
本發明涉及陣列化器件技術領域,更為具體地說,涉及一種功能器件陣列及其制作裝置和制作方法。
背景技術
量子點是納米大小的小型球形狀半導體粒子,也被稱為納米半導體粒子或納米晶體,通常有比激子波爾半徑更小或接近的半徑,僅僅由數個或數十個原子組成,施加電壓會產生自發光,吸收并再釋放同樣波長的光。另外,量子點還有一個特點,即為:當受到光或電的刺激,量子點會發出有色光線,光線的顏色由量子點的組成材料和大小形狀決定,這就意味著量子點能夠改變光源發出的光線顏色。Micro發光二極管芯片常用量子點陣列作為色轉換層,將藍光或者紫外光轉化為其他顏色的光。但是對于量子點陣列的印刷目前只有光刻或者噴嘴噴涂打印方式,其中,光刻方式對于材料的浪費很嚴重,而噴嘴噴涂打印方式難以處理高密度、大面積的基板。目前業內急需一種新型制作裝置及工藝來處理相關功能器件陣列的制作問題。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種功能器件陣列及其制作裝置和制作方法,有效解決了現有技術存在的技術問題,提出了一種新型的制作工藝及裝置,無需將功能材料溶液通過噴嘴噴涂,不僅避免了資源的浪費,還實現了高密度功能器件陣列的制備。
為實現上述目的,本發明提供的技術方案如下:
一種功能器件陣列的制作裝置,包括:
產生系統,所述產生系統用于將生成的聲表面駐波作用于功能材料溶液,以使所述功能材料溶液的表面形成液體尖峰陣列;
定位系統,所述定位系統用于將目標基板移動至所述功能材料溶液的液體尖峰處,且將所述目標基板的功能區表面陣列與功能材料溶液的液體尖峰陣列對位設置,其中,所述功能材料溶液的液體尖峰與所述目標基板的功能區表面接觸,而在所述目標基板的功能區表面處形成功能材料液滴,且所述功能材料液滴揮發后形成所述功能器件。
可選的,所述產生系統包括:
波生成單元,所述波生成單元用于生成所述聲表面駐波;
材料容器,所述材料容器用于盛放所述功能材料溶液且所述功能材料溶液根據所述聲表面駐波在所述材料容器的開口側形成液體尖峰陣列。
可選的,所述波生成單元包括:
壓電基底;
設置于所述壓電基底一側表面上的聲學器件和波導層,所述聲學器件用于生成所述聲學表面駐波,所述波導層用于將所述聲學表面駐波傳輸至位于所述波導層背離所述壓電基底一側的材料容器中。
可選的,所述聲學器件包括多對叉指換能器。
可選的,所述材料容器為玻璃容器。
可選的,所述定位系統包括:
可控固定架,所述可控固定架用于固定所述目標基板;
與所述可控固定架相連的定位驅動器件,所述定位驅動器件用于控制所述可控固定架將所述目標基板移動至所述功能材料溶液的液體尖峰處,且將所述目標基板的功能區表面陣列與功能材料溶液的液體尖峰陣列對位設置。
可選的,所述目標基板的功能區表面與所述功能材料溶液的親疏水性一致;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門乾照半導體科技有限公司,未經廈門乾照半導體科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111593568.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





