[發明專利]半導體器件及包括該半導體器件的非易失性存儲器件

在審

• 申請號: 202111593060.5
• 申請日: 2021-12-23
• 公開（公告）號: CN114695373A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 李素賢;尹康五
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11573
• 分類號: H01L27/11573;H01L21/8234
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 紀雯

一種半導體器件包括：第一有源區域和第二有源區域，在襯底中沿第一方向布置；元件隔離層，在襯底中在第二方向上延伸以隔離第一有源區域和第二有源區域；第一柵電極，在第一有源區域上在第一方向上延伸；第二柵電極，在第二有源區域上在第一方向上延伸；以及隔離雜質區域，在襯底中包含第一導電類型的雜質且布置在元件隔離層下方，其中所述隔離雜質區域包括在第二方向上彼此間隔開的第一隔離區域和第二隔離區域，且襯底的插入在第一柵電極和第二柵電極之間的至少一部分插入在第一隔離區域和第二隔離區域之間。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年12月29日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申請No.10-2020-0185851的優先權，其公開內容通過整體引用并入本文中。

技術領域

本公開涉及半導體器件、包括該半導體器件的非易失性存儲器件、包括該半導體器件的電子系統及其制造方法。更具體地，本公開涉及包括元件隔離層的半導體器件、包括該半導體器件的非易失性存儲器件、包括該半導體器件的電子系統及其制造方法。

背景技術

近來，趨于更輕、更薄、更短和更小電子產品的趨勢導致對高度集成的半導體器件的需求不斷增加。由于半導體器件(例如，晶體管)高度集成，半導體器件中包括的組件的尺寸減小，這導致漏電流的問題。因此，需要控制半導體器件的漏電流，以提高半導體器件的性能和可靠性。

另一方面，需要在需要數據存儲的電子系統中能夠存儲大量數據的半導體器件。因此，已經進行了研究，并且建議將包括三維布置的存儲器單元而不是二維布置的存儲器單元的非易失性存儲器件作為用于增加半導體器件的數據存儲容量的技術之一。

發明內容

本公開的實施例提供了通過降低主體效應來提高性能和可靠性的半導體器件。

本公開的實施例還提供了包括半導體器件的非易失性存儲器件，該半導體器件的性能和可靠性通過降低主體效應而得到增強。

本公開的實施例還提供了包括半導體器件的電子系統，該半導體器件的性能和可靠性通過降低主體效應而得到增強。

本公開的實施例還提供了用于制造半導體器件的方法，該半導體器件的性能和可靠性通過降低主體效應而得到增強。

根據本發明的一個實施例，提供了一種半導體器件，該半導體器件包括：第一有源區域和第二有源區域，在襯底中沿第一方向布置；元件隔離層，布置在襯底中，元件隔離層在與第一方向相交的第二方向上延伸以隔離第一有源區域和第二有源區域；第一柵電極，在第一有源區域上在第一方向上延伸；第二柵電極，在第二有源區域上在第一方向上延伸；以及隔離雜質區域，在襯底中包含第一導電類型的雜質且布置在元件隔離層下方，其中所述隔離雜質區域包括在第二方向上彼此間隔開的第一隔離區域和第二隔離區域，且襯底的插入在第一柵電極和第二柵電極之間的至少一部分插入在第一隔離區域和第二隔離區域之間。

根據本公開的實施例，提供了一種半導體器件，該半導體器件包括：襯底，包含第一摻雜濃度的第一導電類型的雜質；元件隔離層，在襯底中限定第一有源區域；第一柵電極，在第一有源區域上在第一方向上延伸；以及隔離雜質區域，在襯底中包含第二摻雜濃度的第一導電類型的雜質并布置在元件隔離層下方，第二摻雜濃度高于第一摻雜濃度，其中隔離雜質區域在平面圖中在第一方向上與第一柵電極的至少一部分不交疊。

根據本公開的實施例，提供了一種非易失性存儲器件，其包括外圍電路區域的第一襯底和單元區域的第二襯底；元件隔離層，在第一襯底中限定第一有源區域；第一柵電極，在第一有源區域上在第一方向上延伸；隔離雜質區域，在第一襯底中包含第一導電類型的雜質并布置在元件隔離層下方；多條字線，順序堆疊在第二襯底上；溝道結構，布置在第二襯底上，所述溝道結構與多條字線相交；以及位線，與溝道結構相連，其中隔離雜質區域在平面圖中在第一個方向上不與第一柵電極的至少一部分交疊。