[發明專利]半導體器件及包括該半導體器件的非易失性存儲器件

在審

• 申請號: 202111593060.5
• 申請日: 2021-12-23
• 公開（公告）號: CN114695373A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 李素賢;尹康五
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11573
• 分類號: H01L27/11573;H01L21/8234
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 紀雯

1.一種半導體器件，包括：

第一有源區域和第二有源區域，在襯底中沿第一方向布置；

元件隔離層，布置在所述襯底中，所述元件隔離層在與所述第一方向相交的第二方向上延伸以隔離所述第一有源區域和所述第二有源區域；

第一柵電極，在所述第一有源區域上在所述第一方向上延伸；

第二柵電極，在所述第二有源區域上在所述第一方向上延伸；以及

包含第一導電類型的雜質的隔離雜質區域，在所述襯底中并被布置在所述元件隔離層下方，

其中，所述隔離雜質區域包括在所述第二方向上彼此間隔開的第一隔離區域和第二隔離區域，以及

所述襯底的插入在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間的至少一部分插入在所述第一隔離區域和所述第二隔離區域之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：包含與所述第一導電類型不同的第二導電類型的雜質的源極/漏極區域，所述源極/漏極區域在所述第一有源區域中并被布置在所述第一柵電極的一側上。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：在與所述襯底的頂表面相交的第三方向上延伸并連接到所述源極/漏極區域的源極/漏極接觸部，

其中，所述第一隔離區域和所述源極/漏極接觸部在平面圖中在所述第一方向上交疊。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述襯底的插入在所述第一隔離區域和所述第二隔離區域之間的至少一部分在所述平面圖中不在所述第一方向上與所述源極/漏極接觸部交疊。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：布置在所述襯底中的第三有源區域，所述第一有源區域和所述第三有源區域沿所述第二方向布置，

其中，所述隔離雜質區域還包括：第三隔離區域，在所述第一方向上延伸以在所述第一有源區域和所述第三有源區域之間穿過。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：插入在所述第一有源區域和所述第一柵電極之間以及插入在所述第二有源區域和所述第二柵電極之間的柵極介電層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述襯底包含所述第一導電類型的雜質，并且

所述隔離雜質區域的摻雜濃度高于所述襯底的摻雜濃度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述隔離雜質區域包含硼B。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一隔離區域與穿過所述第一柵電極的中心并沿所述第一方向延伸的中心線之間的第一距離與所述第二隔離區域和所述中心線之間的第二距離相同。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一隔離區域在所述第一方向上的寬度和所述第二隔離區域在所述第一方向上的寬度小于所述元件隔離層在所述第一方向上的寬度。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述元件隔離層從所述第一有源區域的頂表面和所述第二有源區域的頂表面突出。

12.一種半導體器件，包括：

襯底，包含第一摻雜濃度的第一導電類型的雜質；

元件隔離層，在所述襯底中限定第一有源區域；

第一柵電極，在所述第一有源區域上在第一方向上延伸；以及

隔離雜質區域，包含第二摻雜濃度的所述第一導電類型的雜質，所述隔離雜質區域在所述襯底中并被布置在所述元件隔離層下方，其中所述第二摻雜濃度高于所述第一摻雜濃度，

其中，所述隔離雜質區域在平面圖中不在所述第一方向上與所述第一柵電極的至少一部分交疊。