[發明專利]一種三維扇出型晶圓級封裝方法及封裝結構

在審

• 申請號: 202111590876.2
• 申請日: 2021-12-23
• 公開（公告）號: CN114373688A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 顧峰光;郁澄宇;王成遷
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48;H01L21/78;H01L23/00;H01L23/48
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊強;楊立秋

1.一種三維扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：

步驟一、提供IC晶圓，在芯片的引腳位置制作芯片銅柱凸塊，將其分割成單顆裸芯片；

步驟二、提供玻璃載板，其表面涂有臨時鍵合激光反應層和及臨時鍵合膠，將裸芯片的背面通過臨時鍵合膠裝載固定于玻璃載板上；

步驟三、通過塑封料包覆該裸芯片，研磨減薄塑封料至芯片銅柱凸塊露出；

步驟四、在正面制作鈍化層、金屬引線和線路銅柱凸塊；

步驟五、重新提供裸芯片，將其通過DAF膜或者印膠裝載、粘合于鈍化層上，并通過塑封料包覆該裸芯片，研磨減薄塑封料至芯片銅柱凸塊露出；

步驟六、通過機械切割在頂部形成trench槽，使trench槽底部的線路銅柱凸塊露出；

步驟七、通過多重布線實現芯片互聯并制作新的線路銅柱凸塊，使用樹脂塑封料完全包覆新制作的線路銅柱凸塊，再通過研磨減薄至新的線路銅柱凸塊露出；

步驟八、進行多重布線并制作阻焊層；解鍵合，移除玻璃載板并清洗干凈臨時鍵合膠；

步驟九、依次完成凸點制作、晶圓切割，形成單個封裝體。

2.如權利要求1所述的三維扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，重復步驟四～步驟七循環進行可實現多層芯片堆疊。

3.如權利要求1所述的三維扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述步驟六中，使用帶梯形刀口的刀具通過機械切割形成trench槽；該刀具的刀口尺寸＞40μm，角度63±1°。

4.如權利要求1所述的三維扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，通過種子層沉積、電鍍工藝在IC晶圓的芯片引腳位置制作芯片銅柱凸塊，所述芯片銅柱凸塊的高度＞3μm。

5.如權利要求1所述的三維扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述玻璃載板的厚度在100μm以上，所述臨時鍵合膠的厚度在1μm以上，所述臨時鍵合激光反應層的厚度在0.1μm以上。

6.如權利要求1所述的三維扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述DAF膜或印膠的膠膜的厚度＞1μm。

7.一種三維扇出型晶圓級封裝結構，其特征在于，根據權利要求1-6任一項所述的三維扇出型晶圓級封裝方法制備而成。